[发明专利]一种硅片少子寿命的测试装置

说明书

本发明提供一种硅片少子寿命的测试装置，所述装置包括可容纳硅片的刻蚀槽，所述刻蚀槽的顶部具有开口，所述刻蚀槽的底部具有用于将所述硅片竖直固定于所述刻蚀槽中的槽位。本发明提供的硅片少子寿命的测试装置，不易发生药液泄露，避免对人员和机台造成伤害。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种硅片少子寿命的测试装置。

背景技术

在半导体元件中，虽然MOS元件主要由多数载流子(多子)控制，但少数载流子(少子)的寿命也起到重要作用，例如较高的少子寿命有助于降低DRAM的刷新时间(refreshtime)。因此，少子寿命是用来判定硅晶体完美性的重要指标之一。此外，晶体中本身的或经过处理后产生的微缺陷都会对少子寿命有一定的影响，而目前的少子寿命测试设备具有绘制(mapping)的功能，因此少子寿命对于长晶工艺的改进有很重要的作用。

目前测试硅片少子寿命的方法很多，例如光电导衰减法、表面光电压法等，其中，由于微波光电导衰减法(μ-PCD)操作简单且测试精度满足检测要求，而成为测试硅片少子寿命的主流测试装置。在μ-PCD法中，最终测试的少子寿命实际上是整个样品的有效寿命，它是发生在硅片表面、体内所有复合叠加的净结果，为了得到硅片的真实体寿命，需要利用钝化方法降低表面复合的影响。然而，现有的钝化装置安全性不高。

因此，有必要提出一种硅片少子寿命的测试装置，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种硅片少子寿命的测试装置，所述装置包括可容纳硅片的刻蚀槽，所述刻蚀槽的顶部具有开口，所述刻蚀槽的底部具有用于将所述硅片竖直固定于所述刻蚀槽中的槽位。

示例性地，所述刻蚀槽的底部为弧形。

示例性地，所述装置还包括位于所述刻蚀槽外侧的朝向所述硅片表面的探测器。

示例性地，所述刻蚀槽的宽度为2mm-3mm。

示例性地，所述槽位的槽距为0.8mm-1mm。

示例性地，所述装置还包括设置在所述刻蚀槽侧壁上的药液进口。

示例性地，所述装置还包括设置在所述刻蚀槽侧壁上的水进口。

示例性地，所述装置还包括设置在所述刻蚀槽底部的废液排口。

示例性地，所述装置还包括用于密封所述刻蚀槽顶部开口的刻蚀槽顶盖。

本发明提供的硅片少子寿命的测试装置，不易发生药液泄露，避免对人员和机台造成伤害。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1A-1B示出了本发明一实施例提供的硅片少子寿命的测试装置的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。