[发明专利]一种红外接收模块的I‑V电路在审
申请号: | 201710859215.2 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107452199A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 张南阳;马辉 | 申请(专利权)人: | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
主分类号: | G08C23/04 | 分类号: | G08C23/04 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 红外 接收 模块 电路 | ||
技术领域
本发明属于模拟集成电路领域,具体为一种红外接收模块的I-V电路。
背景技术
现在的电子产品的功能越来越多,红外遥控也就成为了许多产品中的一个功能。红外遥控发射的信号频率为38KHz的红外光,而I-V电路是红外接收模块的最前端部分,是把光电二极管接受红外光后产生的电流信号转换成电压信号的电路,见图1所示。I-V电路的性能会直接影响红外接收模块的性能。
传统的I-V电路如图2所示,产品的外围电路变多导致系统电源变的越来越复杂,电源上不同频率分量的纹波也越来越多,这些纹波会影响红外接收模块的输出波形,导致输出有杂波。
发明内容
针对上电路性能差的问题,本发明提供了一种红外接收模块的I-V电路,其在电路前端可以有效的减小电路的PSRR(电源抑制比),提高电路的性能。
其技术方案是这样的:一种红外接收模块的I-V电路,其包括运算放大器,所述运算放大器的反相输入端与输出端相连,所述运算放大器的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管,所述可调电阻R1两端分别为电压信号输出端,其特征在于,其还包括MOS管PM0和MOS管PM1,所述MOS管PM0和所述MOS管PM1的源端相连后连接电流源一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地,所述电流源另一端与所述电阻另一端均连接电源VDD,所述MOS管PM1的漏端接地,所述MOS管PM0的漏端连接所述运算放大器的正相输入端和电容C0一端,所述电容C0另一端接地。
其进一步特征在于,所述MOS管PM0和所述MOS管PM1均为PMOS管。
采用本发明的电路后,MOS管PM0和MOS管PM1的bulk端通过电阻R2接到VDD上,而电阻R2和MOS管PM0、MOS管PM1的寄生电容形成一个低通滤波器,MOS管PM0和MOS管PM1的bulk端的电压比较稳定,可以有效的改善电路的PSRR,提高了电路的性能。
附图说明
图1为红外接收原理图;
图2为传统的I-V电路原理图;
图3为本发明的I-V电路原理图;
图4为传统电路和本发明电路的PSRR结果对比图。
具体实施方式
见图3所示,一种红外接收模块的I-V电路,其包括运算放大器1、PMOS管PM0和PMOS管PM1,运算放大器1的反相输入端与输出端相连,运算放大器1的输出端顺次连接可调电阻R1和光电二极管2,这边的光电二极管为外接的,即为图1中的最左侧的光电二极管,可调电阻R1两端分别为电压信号输出端VOUTN和VOUTP,输出电压信号给后端的前置放大器,PMOS管PM0和PMOS管PM1的源端相连后连接电流源3一端、bulk端相连后连接电阻R2一端、栅端相连后接地,电流源3另一端与电阻另一端均连接电源VDD,PMOS管PM1的漏端接地,PMOS管PM0的漏端连接运算放大器的正相输入端和电容C0一端,电容C0另一端接地。
工作原理如下所述:电流流过PMOS管PM1,产生一个的Vds电压,为运算放大器1提供共模电压,但是这个Vds电压会随着电源纹波变化。PMOS管PM0和PMOS管PM1的bulk端通过电阻R2接到VDD上,而电阻R2和PMOS管PM0、PMOS管PM1的寄生电容形成一个低通滤波器,PMOS管PM0和PMOS管PM1的bulk端的电压比较稳定。
PMOS管PM0工作线性区,电阻值很大,与电容C0和PMOS管PM0的寄生电容形成一个带宽很窄的低通滤波器,可以有效的滤除PMOS管PM1的Vds电压38KHz以上高频噪声。这样I-V输出信号在38KHz处可以明显改善,提高了电路的性能。两种结构电路的PSRR结果如图4所示,本发明的电路结构简单,应用效果明显。
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