[发明专利]一种半主动电涡流阻尼墙在审
申请号: | 201710858694.6 | 申请日: | 2017-09-21 |
公开(公告)号: | CN107869200A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 王梁坤;施卫星 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | E04B1/98 | 分类号: | E04B1/98;E04H9/02 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人: | 张磊 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 涡流 阻尼 | ||
技术领域
本发明属于工程抗震领域,具体为一种半主动电涡流阻尼墙。
背景技术
地震是严重威胁人民生命财产安全的自然灾害。传统的建筑结构采用“抗”的方式防御地震。这种做法不但不经济,而且还可能反而放大地震作用。消能减震结构是新兴的一种抵抗地震的结构形式,通过在建筑结构中设置消能减震装置,当地震来临时,消能减震装置能够大量消耗地震能量,减小结构承受的地震能量,以此保证建筑结构的安全。
传统的黏滞阻尼墙采用液压黏滞阻尼器提供附加阻尼,在提供阻尼的同时,也会有一定刚度,无法做到刚度与阻尼的完全分离,影响设计分析。而且,液压黏滞阻尼器还存在漏油、不易养护、后期难以调节等问题,增加维护的难度和成本。电涡流阻尼是对液压黏滞阻尼的一大创新。电涡流阻尼的原理是,导体质量块在运动时切割磁感线,根据法拉第电磁感应原理,在导体内就会产生感应电动势,形成电涡流,将振动能量转化为导体的热量,从而实现振动控制。电涡流阻尼的优势在于:磁体与导体之间没有直接接触,无摩擦阻尼和磨损;不受温度等环境影响;不存在漏油等状况,易于维护且耐久性好。
半主动控制是新兴的一种结构振动控制形式。半主动控制通过在减隔震装置中附加控制系统,以提高减隔震装置的控制效果,既能保证建筑结构在地震作用下的安全,又具有需要外界提供能量少,稳定性高的优点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半主动电涡流阻尼墙,以克服现有技术中的上述缺点,在地震作用下,能实时采集并分析主结构各楼层的瞬时加速度响应,控制作动器调节电涡流阻尼力,以改变整个电涡流阻尼墙的阻尼,提高减震效果,保证主结构的安全。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种半主动电涡流阻尼墙,由主结构1、电涡流阻尼墙2、加速度传感器3和控制器4组成,其中:
所述电涡流阻尼墙2由钢板5、维护墙6、下支墩7、上支墩8、永磁体9、作动器10、导体板11和导磁板12组成;钢板5一端嵌入上支墩8内,另一端位于下支墩7上方,钢板5上均匀分布有永磁体9,钢板5两侧设有导体板11,导体板11另一侧连接有导磁板12,导体板11和导磁板12一端固定于下支墩7顶部;导磁板12与作动器10固接,下支墩7两侧固定有维护墙6,维护墙6一端固定于下支墩7顶部;电涡流阻尼墙2固定于主结构1两层楼板之间,主结构1一侧设置加速度传感器3,控制器4设置于主结构1上,控制器4分别连接加速度传感器3和作动器10;控制器4控制作动器10的左右运动,改变导体板11与永磁体9之间的间隔距离,以此改变电涡流阻尼力的大小;发生地震时,永磁体9与导体板11发生相对运动,在导体板11内产生涡流电发热消耗地震能量。
本发明中,所述上支墩8的顶部与主结构1的上部楼板的底部连接,下支墩7的底部与主结构1下部楼板的顶部连接。
本发明中,所述主结构1各楼层的侧向均安装有加速度传感器3,每个加速度传感器3均连接控制器4。
本发明中,所述控制器4在发生地震时,能够实时采集主结构1各楼层侧向的加速度信号,并根据收到的加速度信号实时控制作动器10的运动。
本发明中,所述维护墙的作用为保护内部的部件,维护墙的材质可为混凝土或砌体等中任一种。
本发明中,所述永磁体的材料可为稀土永磁材料、钐钴、镍镉钴或铁氧体永磁材料等中任一种;所述导体板的材料可为铜、铝等;所述导磁板的材料可为铁、镉或钴等中任一种。
本发明中,所述作动器10活动距离范围为2~20mm。
与现有技术相比,本发明具有如下有益技术效果:
本发明的一种半主动电涡流阻尼墙,在地震作用下,能实时采集并分析主结构各楼层的瞬时加速度,控制作动器调节电涡流阻尼力,以改变整个电涡流阻尼器墙的阻尼,提高减震效果,保证主结构的安全。
附图说明
图1是本发明的一种半主动电涡流阻尼墙主视图;
图2是本发明的电涡流阻尼墙主视图;
图3是本发明的电涡流阻尼墙侧视图;
图中标号:1-主结构,2-电涡流阻尼墙,3-加速度传感器,4-控制器,5-钢板,6-维护墙,7-下支墩,8-上支墩,9-永磁体,10-作动器,11-导体板,12-导磁板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明。
实施例1:如图1至图3所示,本发明的一种半主动电涡流阻尼墙由电涡流阻尼墙2、加速度传感器3和控制器4组成,其中:
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