[发明专利]在集成电路中形成ANA区域的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

提供一结构，其具有各自设置于介电堆栈上方的第一硬掩模层、中介层、第二硬掩模层及心轴层；

用一心轴掩模图案化由数个心轴组成的阵列于该心轴层中；

用一第一截切掩模图案化一ANA沟槽于该心轴层中；

用一第二截切掩模图案化该ANA沟槽于该中介层中；

设置一有机平坦化层于该结构上方；

蚀刻该有机平坦化层以只设置该有机平坦化层于该ANA沟槽中使得该有机平坦化层的顶面低于该第二硬掩模层；

蚀刻该结构以在该介电堆栈的介电层中形成一图案；以及

从在该介电层中的该图案形成由数条交替的心轴及非心轴金属线组成的一阵列，由该ANA沟槽形成的该图案的一部分在该介电层内形成一ANA区域。

2.如权利要求1所述的方法，包含：

在图案化该ANA沟槽于该中介层中后，设置一间隔体层于该结构上方；以及

蚀刻该间隔体层以形成由设置在该心轴的侧壁上的间隔体组成的一阵列，暴露在该心轴层中的该心轴的顶面，以及暴露在该ANA沟槽的底部的该第一硬掩模层。

3.如权利要求1所述的方法，包含：

用该第一截切掩模形成一贝塔沟槽于该心轴层的心轴中；

利用该贝塔沟槽形成该图案的一部分；以及

从该图案中由该贝塔沟槽形成的该部分，形成一心轴线截切于金属线阵列的一心轴线中。

4.如权利要求1所述的方法，包含：

用该第二截切掩模在该心轴层的心轴之间形成一伽马沟槽于该中介层中；

利用该伽马沟槽形成该图案的一部分；以及

从该图案中由该伽马沟槽形成的该部分，形成一非心轴线截切于金属线阵列的一非心轴线中。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该ANA区域延伸穿过金属线阵列的该心轴及非心轴金属线。

6.如权利要求1所述的方法，其中，蚀刻该有机平坦化层的步骤包含：对于该心轴、中介层及间隔体，选择性地蚀刻该有机平坦化层。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该中介层有一预定厚度，其厚到足以使该有机平坦化层能以受控方式蚀刻，使得：

除了在该ANA沟槽的以外，从整个该结构移除该有机平坦化层，

该有机平坦化层的该顶面低于该第二硬掩模层的底面，以及

不暴露该第一硬掩模层在该ANA沟槽的底部的部分。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该中介层为一旋涂式硬掩模。

9.如权利要求2所述的方法，包含：

移除该心轴以暴露该第二硬掩模层；以及

选择性蚀刻该第二硬掩模层以暴露该中介层而不蚀刻去掉该间隔体。

10.如权利要求9所述的方法，包含：

选择性蚀刻该中介层以暴露该第一硬掩模层而不蚀刻去掉该间隔体及有机平坦化层，该间隔体、有机平坦化层及第一硬掩模层形成该图案；以及

各向异性蚀刻该图案于该介电堆栈的该介电层中。

11.一种制造半导体装置的方法，该方法包含：

提供一结构，其具有各自设置于介电堆栈上方的第一硬掩模层、中介层、第二硬掩模层及心轴层；

用一心轴掩模图案化由数个心轴组成的一阵列于该心轴层中；

用一第一截切掩模图案化一贝塔沟槽及一ANA沟槽于该心轴层中；

用一第二截切掩模图案化一伽马沟槽及该ANA沟槽于该中介层中；

设置有机平坦化层于该结构上方；

蚀刻该有机平坦化层以只设置该有机平坦化层于该ANA沟槽中；

蚀刻该结构以在该介电堆栈中形成一图案；以及

从在该介电堆栈中的该图案形成金属线阵列，该图案中由该ANA沟槽形成的一部分在该介电堆栈内形成一ANA区域。