[发明专利]一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法

权利要求书

1.一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于；包括下述步骤：

步骤一

以聚碳硅烷为陶瓷先驱体、以莰烯为有机溶剂、以二乙烯基苯为交联剂，按二乙烯基苯的用量为所用聚碳硅烷质量的20%；配取聚碳硅烷、莰烯、二乙烯基苯，然后将聚碳硅烷、二乙烯基苯加入莰烯中，直至聚碳硅烷完全溶于莰烯中，搅拌混合均匀，得到待交联的有机浆料；聚碳硅烷的质量/（莰烯的质量+聚碳硅烷的质量）=0.1-0.2；

步骤二

将步骤一所得待交联的有机浆料，在真空的条件以及搅拌状态下，加热至100-200℃保温0.5-10h，得到交联好的有机浆料；

步骤三

将溶液降温至60℃以下，然后以1-10℃/min的冷冻速率将交联好的有机浆料转移至模具中，定向冷冻成形，脱模，得到冷冻坯；所用模具为硅胶模具或金属模具；

步骤四

将步骤三所得冷冻坯放入冷冻干燥机中，在真空度为1-10Pa、温度为-60℃-10℃的条件下脱除溶剂，直至溶剂完全脱除，得到待裂解坯体；

步骤五

将步骤四所得待裂解坯体，置于烧结炉内，在保护气氛下，升温至900-1400℃，裂解5-20小时，得到高强度多孔碳化硅陶瓷；所制备的高强度多孔碳化硅陶瓷的抗压强度为9.9-18.7MPa。

2.根据权利要求1所述的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：步骤一中，在真空条件下，于55-65℃的温度下磁力搅拌2-4h得到混合均匀的待交联的有机浆料。

3.根据权利要求1所述的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：

步骤三中，定向冷冻成形时，温度场内的最低温度大于等于零下190℃，最高温度小于等于50℃。

4.根据权利要求1所述的一种制备高强度多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：步骤五中，在保护气氛下，以1-10℃/min的升温速率升温至900-1400℃。