[发明专利]用来管理一记忆装置的方法、记忆装置与控制器

说明书

本发明公开了一种用来管理一记忆装置的方法，记忆装置与记忆装置的控制器，所述方法包括下列步骤：将接收自主装置的数据暂时地储存于所述控制器中的挥发性存储器作为接收数据，并动态地监控所述接收数据的数据量以决定是否立即将所述接收数据写入至少非挥发性存储器组件；以及当接收到特定信号，并且侦测到所述接收数据中存在特定数据尚未被写入所述至少非挥发性存储器组件中的特定非挥发性存储器组件当中被组态成多阶细胞记忆区块的特定区块内的相同位置达预定次数时，立即将所述特定数据写入所述至少非挥发性存储器组件中的另一区块。本发明不必使用大量的单阶细胞记忆区块，故能省下其所占用的储存空间，以提供更多的多阶细胞记忆区块。

本发明的母案为中华人民共和国申请号2014102756507(申请日2014年6月19日，标题为“用来管理一记忆装置的方法、记忆装置与控制器”)，以上申请案的所有内容以引用方式纳入。

技术领域

本发明是有关于闪存(Flash Memory)的控制，尤指一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC，CF，MS，XD标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的闪存的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single Level Cell,SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell,MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞(Memory Cell；也可称为「记忆单元」)的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆细胞的晶体管的储存能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录多个位的信息(例如：00，01，11，10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍以上，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。依据现有技术，由于某些类型的多阶细胞闪存的运作复杂，故传统的存储器控制器会将多阶细胞闪存内的一部分实体区块组态成单阶细胞记忆区块，以供接收来自主装置(HostDevice)的写入数据。然而，某些问题就产生了。例如：由于多阶细胞闪存内的一部分实体区块被组态成单阶细胞记忆区块，多阶细胞闪存内可供用来作为多阶细胞记忆区块的实体区块的数量就减少了，使得传统的记忆装置的整体储存容量减少了。又例如：传统的存储器控制器先将接收数据暂时地写入单阶细胞记忆区块，再将数据从单阶细胞记忆区块收集到多阶细胞记忆区块，其中这些单阶细胞记忆区块的储存空间很容易用完，故传统的存储器控制器需要频繁地抹除这些单阶细胞记忆区块。于是，传统的存储器控制器的工作负荷大幅地增加了，且这些额外的运作需要额外的处理时间，使得传统的记忆装置的整体效能变差。因此，需要一种新颖的方法来加强控管闪存的数据存取，以在不产生副作用(例如：储存数据错误)的状况下提升整体效能。

发明内容

因此，本发明的目的之一在于公开一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于公开一种用来管理一记忆装置的方法以及其相关的记忆装置与控制器，以提升记忆装置的运作效能。