[发明专利]半导体晶圆加工方法、系统及系统的清洁方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆加工系统的清洁方法，包括下列步骤：

在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方，其中该清洁装置包括：

一基板，其中该基板的材质包括一低热膨胀材料；

一反射结构，设置于该基板的一前侧表面上方；

一保护层，设置于该反射结构上方；

一吸收层，设置于该保护层上方，其中该清洁装置具有一不透明区和一反射区，该吸收层位于该不透明区；

一导电层，设置于该基板的一后侧表面上方；以及

一聚合物材料层，设置于该导电层上方；通过该掩模静电座将该聚合物材料层吸附于该掩模静电座；以及

当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：

当该清洁装置吸附于该掩模静电座之后，将一半导体晶圆放置于一晶圆座上方；

利用一射线源进行一光刻制程，在进行该光刻制程期间该射线源用以产生极紫外光线，以对该半导体晶圆曝光。

3.如权利要求2所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：

在将该清洁装置与该掩模静电座分离后，判断该掩模静电座表面是否需要被清洁；以及

若该掩模静电座表面需要被清洁，则将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第二时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离；

其中，该第二时间大于该第一时间。

4.如权利要求3所述的半导体晶圆加工系统的清洁方法，还包括：

若该掩模静电座表面不需要被清洁，则在该清洁装置与该掩模静电座分离且经过一间隔时间时，将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过该第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离。

5.一种半导体晶圆加工方法，包括下列步骤：

在一真空腔室中，将一清洁装置放置于一掩模静电座上方，其中该清洁装置包括：

一基板，其中该基板的材质包括一低热膨胀材料；

一反射结构，设置于该基板的一前侧表面上方；

一保护层，设置于该反射结构上方；

一吸收层，设置于该保护层上方，其中该清洁装置具有一不透明区和一反射区，该吸收层位于该不透明区；

一导电层，设置于该基板的一后侧表面上方；以及

一聚合物材料层，设置于该导电层上方；

通过该掩模静电座将该聚合物材料层吸附于该掩模静电座；

当该清洁装置吸附于该掩模静电座后，将一半导体晶圆放置于一晶圆座上方；

对该半导体晶圆进行一第一半导体制程；以及

进行该第一半导体制程之后，将该清洁装置与该掩模静电座分离，且将该半导体晶圆与该晶圆座分离。

6.如权利要求5所述的半导体晶圆加工方法，还包括：

在将该清洁装置与该掩模静电座分离后，判断该掩模静电座表面是否需要被清洁；

若该掩模静电座表面需要被清洁，则将该清洁装置放置于该掩模静电座上方，通过该掩模静电座将该清洁装置的该聚合物材料层吸附于该掩模静电座，以及当该清洁装置吸附于该掩模静电座且经过一第一时间时，将该清洁装置与该掩模静电座分离；以及

若该掩模静电座表面不需要被清洁，则将一反射掩模吸附于该掩模静电座，且当该反射掩模吸附于该掩模静电座后，将另一半导体晶圆放置于该晶圆座，且对该另一半导体晶圆进行一第二半导体制程，以及进行该第二半导体制程之后，将该反射掩模与该掩模静电座分离，且将该另一半导体晶圆与该晶圆座分离。