[发明专利]一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法

权利要求书

1.一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，其特征在于，包括以下步骤：

以具有光伏效应的p+/n型或n+/p型硅基板表面作为基因承载平台，在硅基板上吸附质粒或质粒/载体复合物，然后进行细胞培养；

细胞培养后，通过光场照射处理，使吸附在基板表面的质粒或质粒/载体复合物快速释放，从而被细胞摄入，完成基因传递及表达；

所述的p+/n型硅基板中硼原子扩散深度为200-400nm，扩散浓度为1×10¹⁸~1×10²⁰原子/cm²；或所述的n+/p型硅基板中磷元素扩散深度为100nm，扩散浓度为5×10¹⁵原子/cm²；

所述的光场照射处理过程为：用波长为400~700nm的可见光从基因承载平台的表面照射，照射10分钟，光照强度50~100mw/cm²。

2.一种用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，其特征在于，包括以下步骤：

以具有光伏效应的p+/n型或n+/p型硅基板表面作为基因承载平台，在硅基板上吸附质粒或质粒/载体复合物，然后进行细胞培养；

细胞培养后，通过光场照射处理，使吸附在基板表面的质粒或质粒/载体复合物快速释放，从而被细胞摄入，完成基因传递及表达；

所述的p+/n型硅基板中硼原子扩散深度为200nm，扩散浓度为1×10¹⁸原子/cm²；或所述的n+/p型硅基板中磷元素扩散深度为200-300nm，扩散浓度为1×10¹⁶~1×10¹⁷原子/cm²；

在所述的硅基板上先制备一层具有良好生物相容性的聚合物薄膜层，再作为基因承载平台，在其上吸附质粒或质粒/载体复合物，进行细胞培养；其中在所述的p+/n型硅基板表面制备正电性的聚合物薄膜层，在所述的n+/p型硅基板表面制备负电性的聚合物薄膜层；

所述的光场照射处理过程为：用波长为400~700nm的可见光从基因承载平台的表面照射，照射10~20分钟，光照强度30~100mw/cm²；或用波长为300~400nm的紫外光从基因承载平台的表面照射，照射20分钟，光场强度为2mw/cm²。

3.如权利要求2所述的用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，其特征在于，所述正电性的聚合物为聚乙烯亚胺（PEI）、壳聚糖、聚赖氨酸或聚精氨酸；所述的负电性的聚合物为聚组氨酸、聚丙烯酸、牛血清白蛋白、聚苯乙烯磺酸钠或聚谷氨酸。

4.如权利要求1或2所述的用于基因转染中可光场调控基因快速释放的方法，其特征在于，所述的质粒/载体复合物中载体为阳离子脂质体、金纳米颗粒、金纳米棒或聚多肽。