[发明专利]氮化铝系半导体深紫外发光元件

权利要求书

1.一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，包括：

导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、包括发光层的氮化铝系半导体层结构体、第一导电侧接触电极及第二导电侧接触电极，

所述氮化铝系半导体层结构体，依次包括第一导电型接触层、第一导电型层、所述发光层、第二导电型层、第二导电型接触层，

所述导电性支承基板与所述氮化铝系半导体层结构体的所述第二导电型接触层夹着所述多孔质金属膜及所述第二导电侧接触电极以电连接的方式接合，

所述氮化铝系半导体深紫外发光元件具有限制第二导电侧即p侧的电流路径的结构，

所述结构是电极条状结构及脊状条结构之一，

在所述电极条状结构中，所述第二导电型接触层的仅一部分形成所述第二导电侧接触电极，未形成有所述第二导电侧接触电极的部分形成有与所述第二导电侧接触电极邻接的绝缘层，

在所述脊状条结构中，替代所述第二导电型接触层的一部分区域形成有与所述第二导电侧接触电极邻接的绝缘层，

所述第一导电侧接触电极的垂直下方具有只形成有所述第二导电侧接触电极的部分，

发光峰值波长为220nm以上300nm以下，

所述氮化铝系半导体深紫外发光元件是从端面发光的受激发射型的半导体激光二极管以及超发光二极管中的一个。

2.如权利要求1所述的氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，

所述第一导电型层及所述第二导电型层分别为具有Al组合不同的AlGaN层的多层结构。

3.如权利要求1或2所述的氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，

所述第一导电型接触层为第一导电型Al_xGa_1-xN(0＜x≤1)接触层，所述第二导电型接触层为第二导电型Al_yGa_1-yN(0.25≤y≤1)接触层。

4.如权利要求1或2所述的氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，

所述多孔质金属膜为包含银的金属膜。

5.如权利要求1或2所述的氮化铝系半导体深紫外发光元件，其特征在于，

所述导电性支承基板为硅基板。