[发明专利]发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

背景技术

在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体生长用基板的正面上形成有层叠体层，该层叠体层通过将n型半导体层、发光层以及p型半导体层层叠多层而形成，将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分出的区域内形成有多个LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片，分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。

由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性的性质，所以光也会照射到晶体生长用基板的内部从而也会从基板的背面和侧面出射。然而存在如下问题，由于在照射到基板的内部的光中，基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被封闭在基板内部，不会从基板出射到外部，所以导致发光器件芯片的亮度降低。

为了解决该问题，在日本特开2014-175354号公报中记载了如下的发光二极管(LED)：为了抑制从发光层射出的光被封闭在基板的内部，将透明部件粘贴在基板的背面上以期提高亮度。

专利文献1：日本特开2014-175354号公报

然而，在专利文献1所公开的发光二极管中，存在如下问题：虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度，但无法得到充分的亮度。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。

根据技术方案1的发明，提供发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序：晶片准备工序，准备如下的晶片：该晶片在晶体生长用透明基板上具有层叠体层，在该层叠体层的正面上由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路，其中，所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层；透明基板准备工序，准备在内部形成有多个气泡的透明基板；一体化工序，将晶片的背面粘贴在该透明基板的正面上而形成一体化晶片；以及分割工序，沿着该分割预定线将该晶片与该透明基板一起切断而将该一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。

优选该透明基板由透明陶瓷、光学玻璃、蓝宝石以及透明树脂中的任意材料形成，在该一体化工序中通过透明粘接剂将该透明基板粘接在晶片上。

根据技术方案3的发明，提供发光二极管芯片，其中，该发光二极管芯片具有：发光二极管，其在正面上形成有LED电路；以及透明部件，其粘贴在该发光二极管的背面上，在该透明部件的内部形成有多个气泡。

关于本发明的发光二极管芯片，由于在粘贴于LED的背面的透明部件的内部形成有多个气泡，所以透明部件的表面积增大，而且减少了因光在透明部件内复杂地折射从而被封闭在透明部件内的光，从透明部件出射的光的量增大，使发光二极管芯片的亮度提高。

附图说明

图1是光器件晶片的正面侧立体图。

图2的(A)是示出将具有多个贯通孔的透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而进行一体化的一体化工序的立体图，图2的(B)是一体化晶片的立体图。

图3是示出借助划片带将一体化晶片支承在环状框架上的支承工序的立体图。

图4是示出将一体化晶片分割成发光二极管芯片的分割工序的立体图。

图5是分割工序结束后的一体化晶片的立体图。

图6是本发明实施方式的发光二极管芯片的立体图。

标号说明

10：切削单元；11：光器件晶片(晶片)；13：蓝宝石基板；14：切削刀具；15：层叠体层；17：分割预定线；19：LED电路；21：透明基板；21A：透明部件；25：一体化晶片；27：切断槽；29：气泡；31：发光二极管芯片。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细的说明。参照图1，示出了光器件晶片(以下，有时简称为晶片)11的正面侧立体图。

光器件晶片11构成为在蓝宝石基板13上层叠有氮化镓(GaN)等外延层(层叠体层)15。光器件晶片11具有层叠有外延层15的正面11a和露出蓝宝石基板13的背面11b。

这里，在本实施方式的光器件晶片11中，采用蓝宝石基板13来作为晶体生长用基板，但也可以代替蓝宝石基板13而采用GaN基板或SiC基板等。