[发明专利]一种PoP封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种PoP封装结构，其特征在于，包括第一芯片以及与所述第一芯片叠放设置的第二芯片，所述第一芯片包括硅基板和第一重布线层，所述硅基板具有相对设置的第一面和第二面，且所述硅基板上设有贯穿所述第一面和第二面的带硅通孔，所述第一重布线层设于所述第二面，且所述第一重布线层上焊接有焊接球；所述第二芯片设于所述硅基板的第一面，且焊接固定在所述带硅通孔上。

2.根据权利要求1所述的PoP封装结构，其特征在于，所述第一芯片上设有芯片保护环以及设于所述芯片保护环内的多个晶粒，所述带硅通孔设于所述保护环外。

3.根据权利要求1所述的PoP封装结构，其特征在于，所述硅基板的第一面设有第二重布线层。

4.根据权利要求1至3任一项所述的PoP封装结构，其特征在于，所述第一芯片为片上系统芯片。

5.根据权利要求1至3任一项所述的PoP封装结构，其特征在于，所述第二芯片为DDR内存芯片。

6.一种PoP封装结构的封装方法，其特征在于，包括：

进行晶圆制作时，在硅基板上生成带硅通孔，并对所述带硅通孔进行填充，使得所述硅基板的相对设置的第一面和第二面导电连通；

在晶圆工作区域制作第一重布线层；

在所述第一重布线层的凸点下金属上回流焊接预设数量的焊接球；

基于所述带硅通孔在所述硅基板远离所述第一重布线层的一面焊接固定第二芯片，形成PoP封装结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在晶圆工作区域制作第一重布线层的步骤之后，所述方法还包括：

在所述硅基板的远离所述第一重布线层的一面制作第二重布线层。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述在所述第一重布线层的凸点下金属上回流焊接预设数量的焊接球的步骤之后，所述方法还包括：

对所述硅基板进行切割形成独立的第一芯片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一芯片为片上系统SoC芯片。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二芯片为DDR内存芯片。