[发明专利]一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池

权利要求书

1.一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述多个纳米线相互交错设于宽禁带半导体纳米线层内，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极和顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层与顶部电极之间。

2.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内。

3.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述纳米线的材料为金属氧化物、半导体化合物和半导体单质中的至少一种；所述半导体化合物为含有第ⅢA族、第ⅤA族、ⅡA族、ⅡB族或ⅥA族元素的半导体化合物。

4.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述纳米线的材料包含氧化锌、二氧化锆、二氧化钛、三氧化二镓、二氧化锡、三氧化钨、氮化镓、磷化镓、氮化铟、氮化铝、磷化铝、砷化铝、硫化镉、硫化锌、硫化镁、硒化锌、硒化镁、硅和金刚石中的至少一种。

5.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述纳米线的直径为10～1000nm，长度为5～1000μm。

6.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述同位素辐射源为β辐射源或α辐射源。

7.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述同位素辐射源包含氚、镍-63、锶-90、碳-14和钷-147中的至少一种。

8.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述顶部电极和衬底电极的材料为金属、导电玻璃、石墨烯、导电聚合物和导电浆料中的至少一种。

9.如权利要求1所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述肖特基结或异质结为采用异质材料对纳米线的表面进行修饰或者掺杂形成。

10.如权利要求9所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，其特征在于，所述异质材料为半导体、金属、石墨烯和高分子导电材料中的至少一种。