[发明专利]辐射射线检测装置及其制备方法

权利要求书

1.一种辐射射线检测装置，包括：

高导电硅基底，其包括：周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围所述内层基底的外层基底及由所述内层基底和外层基底围成的空腔，至少一个所述空腔中注入有媒介物；

第一绝缘层，置于所述高导电硅基底上表面，其结构与所述高导电硅基底相对应；

第二绝缘层，置于所述高导电硅基底下表面，其具有至少一个正对所述内层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个正极；还具有至少一个正对所述外层基底的凹槽，该凹槽内形成有金属电极，以作为至少一个负极；

玻璃体，置于所述第一绝缘层的上表面，与所述正极键合。

2.根据权利要求1所述的辐射射线检测装置，其中：

所述媒介物包括¹⁰B纳米颗粒、WO₃纳米颗粒、氧化铅纳米颗粒和/或惰性气体。

3.根据权利要求1所述的辐射射线检测装置，其为微机电系统；所述第一绝缘层和/或第二绝缘层的主体材质包括：SiO₂、SiN和/或氮氧化硅。

4.根据权利要求1所述的辐射射线检测装置，其中：

所述空腔与所述外层基底贴合的侧壁和/或与所述内层基底贴合的侧壁形成有金属层。

5.根据权利要求1所述的辐射射线检测装置，其中，所述外层基底为正六边形柱体，所述内层基底为圆柱体。

6.根据权利要求1所述的辐射射线检测装置，其中：

所述至少一个负极为多个，多个负极之间电性连接；和/或

所述至少一个正极为多个，多个正极之间电性连接；和/或

在所述第二绝缘层的表面还有电极引线；该电极引线与所述至少一个正极和/或至少一个负极电性连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的辐射射线检测装置，其通过高通滤波电路连接至示波器，以实时呈现检测结果。

8.一种辐射射线检测装置的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、在高导电硅基底的上、下表面分别形成第一绝缘层和第二绝缘层；

步骤2、去除部分区域的第二绝缘层，以形成贯穿其厚度方向的至少两个凹槽；并向至少两个凹槽中沉积金属，以形成至少一个正极和至少一个负极；

步骤3、图形化刻蚀所述第一绝缘层和高导电硅基底，以使所述高导电硅基底形成周期排列的至少一个基底单元，每一基底单元包括：内层基底、包围所述内层基底的外层基底及由所述内层基底和外层基底围成的空腔，向至少一个所述空腔中注入媒介物；且该内层基底正对所述至少一个正极，外层基底正对所述至少一个负极；

步骤4、将玻璃体置于所述第一绝缘层的上表面，并与所述正极键合。

9.根据权利要求8所述的辐射射线检测装置的制备方法，还包括以下步骤：

向至少一个所述空腔的侧壁沉积金属层；并注入包括¹⁰B纳米颗粒、WO₃纳米颗粒、氧化铅纳米颗粒和/或惰性气体的所述媒介物。

10.根据权利要求8至9中任一项所述的辐射射线检测装置的制备方法，其中：

在向所述至少两个凹槽中沉积金属时，还包括以下步骤：

在所述第二绝缘层的下表面靠近所述至少两个凹槽的区域沉积金属作为电极引线，以与所述至少一个正极和/或至少一个负极电性连接；和/或

在所述步骤3与步骤4之间，还包括以下步骤：

在所述至少一个空腔的至少一个侧壁沉积金属层。