[发明专利]选择性发射极电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极电池结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、取制绒后的硅片(1)，在APCVD沉积含有低浓度磷源或硼源的SiO2，形成轻掺区(3)；

S2、激光开膜，开膜直线(2)分割轻掺区(3)形成分隔的长条矩阵结构；

S3、将硅片(1)返回APCVD，沉积含有高浓度磷源或硼源的SiO2，进行高温推进，形成重掺区(4)，重掺区(4)侵入开膜直线(2)并覆盖轻掺区(3)。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：S1中轻掺区(3)磷源或硼源的浓度为0.01～5％，S3中重掺区(4)磷源或硼源的浓度为0.02～5.01％；重掺区(4)中磷源或硼源的浓度高于轻掺区(3)中磷源或硼源的浓度。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：轻掺区(3)磷源或硼源的浓度为0.3％，重掺区(4)磷源或硼源的浓度为1％。

4.根据权利要求1所述的选择性发射极电池结构，其特征在于S2中激光开膜选用激光波长532，NS绿光；开膜功率根据沉积的膜厚SiO2膜厚不同而设置，具体的：膜厚10～50nm时，开膜功率≤10w；膜厚50～100nm时，10w≤开膜功率≤15w。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：S3中所述高温推进根据方阻需求设定升温时间及最高温度：

重掺区方阻：磷源或硼源浓度含量越高，在温度时间相同的参数下，方阻越低；

轻掺区方阻：磷源或硼源浓度含量越低，在温度时间相同的参数下，方阻越高。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：S3中高温推进温度为700～900℃，高温推进时间为5～60min。

7.一种基于权利要求1所述制备方法获得的选择性发射极电池结构，其特征在于：制绒后的硅片(1)表面沉淀有轻掺区(3)，在轻掺区(3)上有开膜直线(2)将轻掺区(3)分割为呈行状的长条矩阵结构；轻掺区(3)上和开膜直线(2)中沉淀有重掺区(4)；所述轻掺区(3)和重掺区(4)均为磷源或硼源。

8.根据权利要求5所述的选择性发射极电池结构，其特征在于：所述轻掺区(3)的厚度为5～100nm，轻掺区(3)的方阻为100ohm/sp以上；重掺区(4)的厚度为5～100nm，重掺区(4)的方阻为55～65ohm/sp。

9.根据权利要求6所述的选择性发射极电池结构，其特征在于：所述轻掺区(3)的厚度为20nm，轻掺区(3)的方阻为100ohm/sp；重掺区(4)的厚度为20nm，重掺区(4)的方阻为60ohm/sp。

10.根据权利要求5所述的选择性发射极电池结构，其特征在于：所述开膜直线(2)的宽度为100～150um。