[发明专利]一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法在审
| 申请号： | 201710841324.1 | 申请日： | 2017-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109518271A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 预处理 外延表面 外延生长 氯化物 反应腔室 加热 反应腔室气压 原生氧化物 表面缺陷 晶体表面 低缺陷 光滑度 外延片 放入 晶片 去除 | ||
1.一种SiC外延表面的预处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中在氢气氛下加热至第一温度；
在所述反应腔室中通入一定量的硅的氯化物，继续加热至第二温度，并在所述第二温度下保持一段时间；
其中，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度和所述第一温度均高于1000℃且低于1600℃。
2.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：所述第一温度为1200℃-1300℃。
3.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：所述第二温度为1450℃-1550℃。
4.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：通入的硅的氯化物占所述反应腔室中的气体体积比小于或等于0.1％。
5.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：所述硅的氯化物选自于SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、Si2Cl6中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：在所述第二温度下保持5-20分钟。
7.根据权利要求1所述的SiC外延表面的预处理方法，其特征在于：进行所述预处理时，保持反应腔室内气压为0.1-0.5Torr。
8.一种SiC外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用如权利要求1-7中任一项所述的方法将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中，对所述SiC晶体表面进行预处理；
通入反应气体在预处理后的所述SiC晶体表面外延生长AlN、GaN或SiC薄膜。
9.根据权利要求8所述的SiC外延片的制备方法，其特征在于：所述具有SiC晶体表面的晶片为去角度晶圆。
10.根据权利要求8所述的SiC外延片的制备方法，其特征在于：外延生长SiC薄膜时，采用的反应气体为SiHCl3、C3H8及H2，保持反应腔室内气压为0.1-0.5Torr，加热温度为1450℃-1550℃。
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