[发明专利]一种高杆万寿菊组培培养基及其制备方法在审
| 申请号: | 201710840812.0 | 申请日: | 2017-09-16 |
| 公开(公告)号: | CN107466857A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
| 发明(设计)人: | 高睿琦;石俊;辛培培;胡俊;高丽 | 申请(专利权)人: | 北京花乡花木集团有限公司 |
| 主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 北京维正专利代理有限公司11508 | 代理人: | 曹晓斐 |
| 地址: | 100067 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高杆 万寿菊 培养基 及其 制备 方法 | ||
1.一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于:每升培养基中包括有母液Ⅰ45-55ml,母液Ⅱ、母液Ⅲ和母液Ⅳ各3-7ml、蔗糖20-40g、琼脂粉3-7g、生长促进剂0.06-0.1ml和繁殖促进剂0.3-0.7ml;
母液Ⅰ包括有KNO3 38g/L、NH4NO3 33g/L、CaCl2·2H2O 8.8g/L、MgSO4·7H2O 7.4g/L、KH2PO4 3.4g/L,其余为溶剂;
母液Ⅱ:KI 0.166g/L、H3BO3 1.24g/L、MnSO4·4H2O 4.46g/L、ZnSO4·7H2O 1.72g/L、Na2MoO4·2H2O 0.05g/L、CuSO4·5H2O 0.005g/L、CoCl2·6H2O 0.005g/L,其余为溶剂;
母液Ⅲ:肌醇20g/L、烟酸0.1g/L、盐酸吡哆素(VB6) 0.1g/L、盐酸硫胺素(VB1) 0.02g/L、甘氨酸0.4g/L,其余为溶剂;
母液Ⅳ:FeSO4·7H2O 5.56g/L、Na2·EDTA·2H2O 7.46g/L,其余为溶剂。
2.根据权利要求1所述的一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于:生长促进剂包括有 6-BA 和IAA。
3.根据权利要求2所述的一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于: 生长促进剂中6-BA与IAA的重量比为1:1,其中6-BA的浓度 500mg/L、IAA的浓度500mg/L。
4.根据权利要求1所述的一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于:繁殖促进剂包括有银杏叶萃取液、稀土添加剂。
5.根据权利要求4所述的一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于:每升培养基中银杏萃取液与稀土促进剂的重量比为3:2,其中稀土促进剂的浓度为50mg/L,银杏萃取液的浓度100ml/L。
6.根据权利要求4所述的一种高杆万寿菊组培培养基,其特征在于:稀土促进剂中的稀土为轻稀土。
7.一种高杆万寿菊组培培养基的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1:配制母液Ⅰ、母液Ⅱ、母液Ⅲ、母液Ⅳ、生长促进剂和繁殖促进剂,保存在冰箱的冷藏室中;
S2:配制1L高杆万寿菊组培培养基,此时混合母液Ⅰ、母液Ⅱ、母液Ⅲ、母液Ⅳ、生长促进剂、繁殖促进剂、 蔗糖、琼脂粉;
S3:添加浓度为0.5mol/L的氢氧化钠或浓度为0.5mol/L的 HCl将PH值调到5.5-6;
S4:然后把高杆万寿菊组培培养基分装到培养瓶中,每瓶80ml;
S5:把装有高杆万寿菊组培培养基的培养瓶放到高压灭菌锅中,消毒 25min,高压灭菌锅工作温度120℃,压强120kPa。
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