[发明专利]一种彩膜基板及显示设备在审
| 申请号: | 201710839434.4 | 申请日: | 2017-09-15 |
| 公开(公告)号: | CN107591431A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
| 发明(设计)人: | 史文 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人: | 李庆波 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 彩膜基板 显示 设备 | ||
1.一种彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板包括:
衬底基板;
黑矩阵,设置于所述衬底基板上并形成有以矩阵方式间隔排列的多个开口区域,以作为所述彩膜基板的子像素区域;
第一转换材料层,设置于所述子像素区域中的第一子像素区域内,所述第一转换材料层用于将具有第一波长的入射光波长转换成具有第二波长的第一出射光,其中所述第一波长大于所述第二波长。
2.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板进一步包括第二转换材料层,所述第二转换材料层设置于所述子像素区域中的第二子像素区域内,所述第二转换材料层用于将所述入射光波长转换成具有第三波长的第二出射光,其中所述第一波长大于所述第三波长。
3.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述入射光为红光,所述第一出射光和所述第二出射光分别为蓝光和绿光。
4.根据权利要求2所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一转换材料层和所述第二转换材料层中的至少一者为包含有无机基质及稀土掺杂离子的上转换纳米颗粒。
5.根据权利要求1所述的彩膜基板,其特征在于,所述彩膜基板进一步包括第二转换材料层,所述第二转换材料层设置于所述子像素区域中的第二子像素区域内,所述第二转换材料层用于将所述入射光波长转换成具有第三波长的第二出射光,其中所述第一波长小于所述第三波长。
6.根据权利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述入射光为绿光,所述第一出射光和所述第二出射光分别为蓝光和红光。
7.根据权利要求5所述的彩膜基板,其特征在于,所述第一转换材料层为包含有无机基质及稀土掺杂离子的上转换纳米颗粒,所述第二转换材料层为下转换量子点材料。
8.根据权利要求2-7任意一项所述的彩膜基板,其特征在于,所述子像素区域中的第三子像素区域设置为至少部分透射所述入射光,以作为第三出射光。
9.一种显示设备,其特征在于,所述显示设备包括如权利要求1-8任一项所述的彩膜基板。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备包括主动发光阵列基板,所述主动发光阵列基板包括多个发光区域,所述发光区域与所述子像素区域对应设置,以分别向所述子像素区域提供所述入射光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





