[发明专利]一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺。

背景技术

量子点电致发光二极管(Quantum dots Light-emitting Diodes，QLED)是一种新型的自发光型二极管，QLED显示面板相比与传统的显示面板具有高色饱和度与高色域的特点，现有的QLED显示面板结构复杂，需要设置过孔连接，生产成本较高，产品竞争力不强。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种QLED显示面板，能够简化QLED显示面板的结构，降低QLED显示面板的生产成本，提升产品竞争力。同时，本发明还提供了一种QLED显示面板的像素定义层模块及其制造工艺。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种QLED显示面板，包括：基板、覆盖所述基板的缓冲层、设于所述缓冲层上的栅极、覆盖所述栅极和缓冲层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的两端接触的源极和漏极、设于所述栅极绝缘层上并与所述漏极接触的第一电极、覆盖所述源极、漏极、第一电极、及栅极绝缘层的像素定义层、设于所述第一电极上的像素定义层中的像素定义槽、设于所述像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层、设于所述像素定义层上并与所述电子注入层接触的第二电极、以及设于所述第二电极上的封装层。

所述第一电极为反射电极，所述第二电极为透明电极。

所述量子点发光层包括有机溶剂材料和分散在所述有机溶剂材料中的量子点材料，所述量子点材料包括：CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、InAs和InP中的一种或多种。

所述源极、漏极及第一电极的材料为钼、铁及铝中的一种或多种的组合，所述第二电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

一种QLED显示面板的像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层。

一种QLED显示面板的像素定义层模块的制造工艺，步骤如下：

1)、结构及分别加工

像素定义层模块，包括像素定义槽、设于像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；

依现有技术制造每层，然后按照叠合次序依次复合；

2)、预处理

复合后对其外表面喷涂预处理液，喷涂结束利用鼓风干燥机干燥；

预处理液的组分为：活性炭5份、防沉淀剂3.3份、水15份、高氯化聚乙烯树脂10份、血根碱0.5份；

3)、后续处理

将预处理后的像素定义层模块置于密闭容器中，抽真空保持24小时以上，然后恢复常压再取出。

本发明所具有的优点与效果是：

1)、本发明的一种QLED显示面板，包括：基板、覆盖所述基板的缓冲层、设于所述缓冲层上的栅极、覆盖所述栅极和缓冲层的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层的两端接触的源极和漏极、设于所述栅极绝缘层上并与所述漏极接触的第一电极、覆盖所述源极、漏极、第一电极、及栅极绝缘层的像素定义层、设于所述第一电极上的像素定义层中的像素定义槽、设于所述像素定义槽内自下而上依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层、设于所述像素定义层上并与所述电子注入层接触的第二电极、以及设于所述第二电极上的封装层，通过将源漏极与QLED的第一电极同层设置，能够减少连接过孔数量，避免因过孔引起的显示不良，提升产品稳定性，降低生产成本，提升产品竞争力。

2)、本发明的一种QLED显示面板的像素定义层模块及其制造工艺，通过合理设计加工工艺使其使用寿命得到显著延长，产品品质更优。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步详述：

图1为本发明的一种QLED显示面板的结构图；

图中：基板1、缓冲层2、栅极3、栅极绝缘层4、有源层5、源极6、漏极7、第一电极8、像素定义层12、像素定义槽121、空穴注入层91、空穴传输层92、量子点发光层93、电子传输层94、电子注入层95、第二电极10、封装层11。

具体实施方式

实施例1