[发明专利]一种基于阻抗技术的京胡共鸣箱的声学评价方法及实验装置在审

专利信息
申请号: 201710834842.0 申请日: 2017-09-15
公开(公告)号: CN107436189A 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 张军;陆俊峰;汤红梅;张泽宇;李宪华;赵义;黎俊楠;袁翔;王古超;张继明 申请(专利权)人: 安徽理工大学
主分类号: G01H11/08 分类号: G01H11/08;G01N29/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 232001 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 阻抗 技术 京胡 共鸣 声学 评价 方法 实验 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及阻抗技术和京胡生产技术领域,尤其涉及一种基于阻抗技术的京胡共鸣箱的声学评价方法及实验装置。

背景技术

首先京胡共鸣箱是京胡的关键部件之一,共鸣箱是京胡的发音放大器,他是关系到京胡的音量、音色的重要部件。京胡共鸣箱的好坏直接关系到京胡的品质。京胡的共鸣箱主要由蛇皮、琴桶组成。在京胡的振动中,来自琴弦的振动能量通过弦马传递蒙在琴桶上的蛇皮,通过蛇皮的振动来传声,通过共鸣箱来放大琴声。这里既有弦的振动,也有蛇皮的振动和空气振动,各有其固有频率,形成整个乐器的频率响应特征。

一种基于阻抗技术的京胡共鸣箱的声学评价实验装置是一种评价京胡共鸣箱好坏的实验装置。一般来说,评价一台京胡的性能优劣,包括声学品质和演奏性能品质两类指标,其中声学品质指标包括:音色优美、高音明亮、中音柔和、音域连贯、声音纯净等,演奏性能品质指标包括:发音反应、演奏舒适等,在京胡的声学品质指标中,声音纯净指标主要是靠调音来解决;音色优美指标,与演奏者的演奏水平相关。而评价京胡共鸣箱的性能指标包括:高音明亮、中音柔和、音域连贯等。传统的乐器声学评价需要的专业的声学实验室中进行,需要演奏者演奏京胡乐曲,由坐在声学实验室中不同位置的评委做出评价,可以看出,在评价中存在人为因素。采用什么方法,既能排出人为因素,又能准确的反映京胡共鸣箱的优劣?这个问题一直是京胡制造厂家亟待解决的热点问题。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种基于阻抗技术的京胡共鸣箱的声学评价方法及实验装置。

本发明是通过以下技术方案实现:

一种基于阻抗技术的京胡共鸣箱的声学评价方法,所述方法使用的实验装置包括,阻抗分析仪(1)、京胡共鸣箱(2)、第一压电传感器(3)、第二压电传感器(4)、第三压电传感器(5)、电脑及其软件处理系统(8),所述第一压电传感器(3)包括第一基座(9)、第一压电陶瓷片(13),所述第二压电传感器(4)包括第二基座(10)、第二压电陶瓷片(14),所述第三压电传感器(5)包括第三基座(11)、第三压电陶瓷片(15);其特征在于:所述第一压电陶瓷片(13)的负极面通过导电银胶粘贴在第一基座(9)上,所述第二压电陶瓷片(14)的负极面通过导电银胶粘贴在第二基座(10)上,所述第三压电陶瓷片(15)的负极面通过导电银胶粘贴在第三基座(11)上。

作为本发明的优选技术方案,在京胡共鸣箱(2)的中音区上选取第一关键部位(20),在京胡共鸣箱(2)的高音一区上选取第二关键部位(21),在京胡共鸣箱(2)的高音二区上选取第三关键部位(22),将所述第一压电传感器(3),第二压电传感器(4),第三压电传感器(5)分别通过改性低熔点高硬度石蜡粘贴在第一关键部位(20)、第二关键部位(21)、第三关键部位(22);所述第一基座(9)与京胡共鸣箱(2)的第一关键部位(20)接触部分的曲率相同;第二基座(10)与京胡共鸣箱(2)的第二关键部位(21)接触部分的曲率相同;第三基座(11)与京胡共鸣箱(2)的第三关键部位(22)接触部分的曲率相同;所述第一压电陶瓷片(13)、第二压电陶瓷片(14)、第三压电陶瓷片(15)为圆形压电陶瓷片。

作为本发明的优选技术方案,所述第一基座(9)、第二基座(10)、第三基座(11)的材料为导电铝材。

作为本发明的优选技术方案,所述第一压电陶瓷片(13)、第二压电陶瓷片(14)、第三压电陶瓷片(15)的材料为PZT4。

与现有的技术相比,本发明的有益效果是:本发明结构简单,设计合理,本发明的测试实验装置,不需演奏者弹京胡,直接用阻抗分析仪(1)对京胡共鸣箱(2)在中音区、高音一区、高音二区进行扫频,能测试出所述京胡共鸣箱(2)在扫描频率范围内的阻抗频谱图;根据京胡共鸣箱(2)的阻抗频谱图来判断京胡共鸣箱(2)的优劣。本发明一方面克服可传统方法对评价京胡音色中的人为因素,客观的评价出京胡音色的好坏,为京胡制造厂商提供了一种全新的京胡共鸣箱(2)评价方法。

附图说明

图1为本发明的测试原理示意图,图2为京胡共鸣箱传感器位置示意图,图3为京胡共鸣箱传感器示意图,图4为第一压电传感器结构示意图,图5为第二压电传感器结构示意图,图6为第三压电传感器结构示意图。

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