[发明专利]芯片上的加热器及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

公共沟道区，具有第一表面和相对的第二表面；

第一栅极电介质，设置在所述公共沟道区的所述第一表面上；

第一栅电极，设置在所述第一栅极电介质上；

第一源极/漏极和第二源极/漏极，由所述公共沟道区彼此横向分离；

第二栅极电介质，设置在所述公共沟道区的所述第二表面上；

加热器，具有相对于彼此同心设置的多个加热元件；以及

温度传感器；

其中，所述多个加热元件中的每个加热元件均具有弧形形状，并且所述多个加热元件中的每个加热元件均具有相应的半径，

其中，具有不同半径的相邻加热元件之间的距离随着所述加热元件的对应半径增加而减小，

其中，所述多个加热元件的第一对相邻内部加热元件之间间隔开第一距离，所述多个加热元件的第二对相邻外部加热元件之间间隔开第二距离，并且所述第一对相邻内部加热元件与所述第二对相邻外部加热元件间隔开的第三距离小于所述第一距离并且大于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述加热器设置在所述集成电路内，使得所述加热器距所述第二栅极电介质不超过5μm。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述加热器的表面积不大于100mm ²。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个加热元件中的每个加热元件均具有圆形形状。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述多个加热元件中的多个加热元件的个数不超过200。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个加热元件中的每个单独的加热元件均具有不大于30μm的标称宽度。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述多个加热元件中的每个单独的加热元件均具有不大于0.7μm的标称厚度。

8.一种形成集成电路的方法，包括：

形成双栅极背侧感测场效应晶体管(DG-BSS FET)，所述双栅极背侧感测场效应晶体管包括：

主栅叠件和次栅叠件，设置在公共沟道区的垂直相对的两个表面上；

第一源极/漏极和第二源极/漏极，由所述公共沟道区彼此横向分离，其中，所述主栅叠件具有设置在所述公共沟道区的第一表面上的第一栅极电介质和设置在所述第一栅极电介质上的第一栅电极，所述次栅叠件具有设置在所述公共沟道区的第二表面上的第二栅极电介质和设置在第二栅极电介质上的捕获试剂；以及

在所述集成电路中设置具有同心配置的多个加热元件的加热器，每个加热元件均具有弧形的形状；

其中，所述多个加热元件彼此成对电连接；以及

形成与所述双栅极背侧感测场效应晶体管热连通的温度传感器，

其中，所述多个加热元件中的成对电连接的加热元件的总电阻标称相等。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个加热元件中的每个加热元件均包括电阻器。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电阻器包括TiAlN。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电阻器包括硅化物。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述电阻器包括多晶硅。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二栅极电介质包括HfO₂。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，每对电连接的加热元件具有相同的标称电阻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，固定的捕获试剂包括生物分子。