[发明专利]电压调节器及具有其的阻变存储装置

说明书

可以提供一种电压补偿电路。电压补偿电路可以包括复制电路块，复制电路块被配置成被选择和驱动以产生用于补偿电压电平的电阻值。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月18日提交给韩国知识产权局的申请号为10-2016-0135082的韩国专利的优先权，其全部内容通过引用整体合并于此。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成装置，更具体地，涉及一种电压调节器及具有其的阻变存储装置。

背景技术

总体而言，阻变存储装置因其提供的优点而作为下一代存储装置引起人们的注意。下一代存储装置允许下面的优点全部合并到一个装置里：低成本、随机访问、高速工作、低功耗和非易失性。

当数据储存材料层布置在电极对之间，且数据经由数据储存材料层的电阻状态因所施加的电流或电压而改变来编程时，存储装置被认作阻变存储装置。

用于阻变存储装置的相变随机存取存储器(PRAM)可以基本由存取元件以及数据储存材料层(由相变材料配置)来配置。当在字线与位线之间施加预设电压以将数据写入(编程)至PRAM中时，写入电流可以施加给数据储存材料层，从而数据储存材料层的电阻状态可以改变。

阻变存储装置包括各种功能模块。恒定电压发生装置用来给功能模块供电。电压调节器可以具有将外部电源电压转换成稳定电源电压的功能，使得稳定电源电压被供应给功能模块(例如，驱动电路)。

发明内容

在本公开的一个实施例中，一种电压调节器可以包括：输出电压发生单元，被配置成通过比较输入电压与反馈电压来产生输出电压；以及反馈电压发生单元，被配置成通过接收输出电压来产生反馈电压，以及将反馈电压提供给输出电压发生单元。反馈电压发生单元可以包括：电压补偿电路，被配置成产生用于补偿由被导通以访问存储单元的访问元件组的导通电阻和在被访问存储单元中流动的截止电流降低的电压电平的电阻值；以及反馈电路，被配置成将在电压补偿电路与电压接地端子之间检测到的反馈电压提供给输出电压发生单元。

在本公开的一个实施例中，一种阻变存储装置可以包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；以及电压调节器，被配置成将电压施加给所述多个存储单元之中的被访问存储单元。电压调节器可以包括：输出电压发生单元，被配置成通过将输入电压与反馈电压进行比较来产生输出电压；电压补偿电路，被配置成产生用于补偿由被导通以访问存储单元的访问元件组的导通电阻和在被访问存储单元中流动的截止电流降低的电压电平的电阻值；以及反馈电路，被配置成将在电压补偿电路与电压接地端子之间检测到的反馈电压提供给输出电压发生单元。

在本公开的一个实施例中，一种电压补偿电路可以包括多个复制电路块，所述多个复制电路块并联耦接，且每个复制电路块被配置成通过修整信号来选择和驱动以产生用于补偿电压电平的电阻值。

附图说明

图1是图示根据本公开的一个实施例的阻变存储装置的配置图。

图2是图示根据本公开的一个实施例的被配置成访问图1的存储单元的访问元件以及被配置成施加电压给被访问存储单元的电压调节器的示例的示图。

图3A和图3B是图示图2的电压调节器的配置的示例的示图。

图4A和图4B是图示图3A的电压补偿电路的配置的示例的示图。

图5至图9是图示根据本公开的实施例的电子装置的配置图。

具体实施方式

下面将参照附图来描述各种实施例。附图是各种实施例(以及中间结构)的示意图。这样，可以预期示图的配置和形状由于例如制造技术和/或容限而变化。因此，所描述的实施例不应当被解释为局限于本文中所图示的特定的配置和形状，而可以包括未脱离所附权利要求书中所定义的本发明的精神和范围的配置和形状的偏离。