[发明专利]锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法在审
| 申请号： | 201710833489.4 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107578985A | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 锑化镓 衬底 锑化物基 晶格 材料 表面 清理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于,包括以下步骤：
步骤一：将样品装入高真空腔室，真空度高于1×10-6Torr；
步骤二：将样品温度升至目标温度并保持；
步骤三：开启原子氢源的束流覆盖样品表面，持续1-50分钟直至样品表面的氧化产物被完全去除，期间的真空度为1×10-6-1×10-5Torr；
步骤四：关闭原子氢源，然后在同一真空系统中执行后续的材料生长工艺。
2.根据权利要求1所述的锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于：所述步骤一中的样品为锑化镓衬底或锑化物基Ⅱ类超晶格材料。
3.根据权利要求1所述的锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于：所述步骤二中的样品升温过程，其升温速率为5-30℃/min。
4.根据权利要求1所述的锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于：所述步骤二中的目标温度，对于锑化镓衬底，为300-500℃；对于锑化物基Ⅱ类超晶格材料，为200-400℃。
5.根据权利要求1所述的锑化镓衬底及锑化物基Ⅱ类超晶格材料的表面清理方法，其特征在于：所述步骤三中的原子氢源的激发功率为200-500W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
