[发明专利]钽酸锂晶体的制造装置和钽酸锂晶体的制造方法

权利要求书

1.一种钽酸锂晶体的制造装置，其为由垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉构成的钽酸锂晶体的制造装置，该垂直布里奇曼炉或垂直梯度凝固炉具备：基体；配设于该基体上的具有耐热性的筒状的炉主体；将该炉主体封闭的盖体；配设于所述炉主体内的发热体；贯通所述基体并以上下自由移动的方式设置的坩埚支承轴；和配设于该坩埚支承轴上并由所述发热体进行加热的坩埚，所述钽酸锂晶体的制造装置的特征在于，

所述坩埚为铂制的坩埚。

2.如权利要求1所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述坩埚为纯度95％以上的铂制坩埚。

3.如权利要求1或2所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，该制造装置具有控制部，该控制部按照所述发热体对所述坩埚的加热在低于所述坩埚发生软化、变形的温度的温度下进行加热的方式控制所述发热体对所述坩埚的加热。

4.如权利要求1～3中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述炉主体的内壁形成为将两个以上具有所需高度的环状的耐热部件层叠而成的耐热壁，并且，所述环状的耐热部件通过将两个以上的分割片接合而形成为环状。

5.如权利要求1～4中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述发热体为电阻加热发热体。

6.如权利要求5所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述电阻加热发热体是以MoSi₂为主材的电阻加热发热体。

7.如权利要求1～4中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述发热体为利用高频感应进行加热的发热体。

8.如权利要求7所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述利用高频感应进行加热的发热体为Pt-Rh系合金制。

9.如权利要求4～8中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，在所述炉主体中，在所述耐热壁的外侧配设有由耐热性材料构成的支撑筒体，在所述耐热壁与所述支撑筒体之间配设有绝热材料，所述盖体由所述支撑筒体进行支撑。

10.如权利要求1～9中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置，其特征在于，所述盖体由绝热材料形成，在该绝热材料中配设有增强部件。

11.一种钽酸锂晶体的制造方法，其为利用垂直布里奇曼法或垂直梯度凝固法的钽酸锂晶体的制造方法，通过将收纳有由钽酸锂构成的原料的坩埚配置于炉主体内，利用配设于所述炉主体内的发热体将所述坩埚加热，使所述原料熔解，接着降低所述坩埚的温度而得到钽酸锂的晶体，所述钽酸锂晶体的制造方法的特征在于，

所述坩埚使用铂制的坩埚，

在利用所述发热体将所述坩埚加热时，在低于所述坩埚发生软化、变形的温度的温度下进行加热。

12.如权利要求11所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，所述坩埚使用纯度95％以上的铂制坩埚。

13.如权利要求11或12所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，在利用所述发热体将所述坩埚加热时，在所述坩埚的温度达到引晶温度附近后，减缓利用所述发热体进行的加热，防止所述坩埚的温度超越引晶温度。

14.如权利要求13所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，在利用所述发热体将所述坩埚加热时，在达到所述引晶温度附近之前的阶段，包括下述阶段：暂时使利用所述发热体进行的加热处于恒定，使所述炉主体内的温度保持恒定，使所述炉主体内的温度均匀化。

15.如权利要求13或14所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，在所述坩埚的温度达到引晶温度后，在该温度下保持所需时间，进行引晶。

16.如权利要求13～15中任一项所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，在所述引晶结束后，缓慢地降低所述炉主体内温度，使钽酸锂固化而结晶。

17.如权利要求11～16中任一项所述的钽酸锂晶体的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～10中任一项所述的钽酸锂晶体的制造装置。