[发明专利]一种镀锡紫铜丝的制备方法在审
申请号: | 201710830861.6 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN107579008A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 邵光伟 | 申请(专利权)人: | 佛山慧创正元新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连围 |
地址: | 528000 广东省佛山市禅城区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镀锡 紫铜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及铜丝材料这一技术领域,特别涉及到一种镀锡紫铜丝的制备方法。
背景技术
半导体集成电路制造完成后所得的芯片虽然已经具有特定的功能,但是要实现该功能,必须通过与外部电子元件的连接。而半导体集成电路芯片需要经过与封装体的键合工序,最终得到芯片封装,如此才能通过封装的引脚与外部电子元件连接。在芯片与封装体的键合工艺中,都通过键合线将芯片上的焊盘与封装体的引脚进行电连接。所以键合线是实现芯片功能必不可少的材料。现有技术中,因为纯金的导电性能优异,键合线多由纯金制成。但随着黄金资源的日益稀缺、价格持续攀升,封装成本大幅上升。为此业内技术人员研发出镀金铜丝产品来替代金丝的产品。该镀金铜丝是通过在铜芯上镀金来形成,这种产品兼顾了金的优异导电性能,而且采用铜来作为芯体,从而可以减少金的用量,节约了成本。然而,镀金键合铜丝虽然价格低廉,且在拉伸、剪切强度和延展等方面的性能优于金丝,但随着芯片行业的快速小型化、多引脚高密度化,镀金键合铜丝越来越无法满足需求。这是因为铜的导电性能虽然良好,但相对于金来说,其电阻率较高,这导致其在体积非常小的芯片封装中所产生的热量无法忽视。因而有必要研究一种即经济又性能优异的替代键合丝。并且,中国授权专利CN102130067B公开了一种表面镀钯键合铜丝,这种镀钯键合铜丝由于采用价格相对低廉的钯作为镀层,因此相对于镀金键合铜丝来说,其制造成本以及应用成本相对更低,但是这种镀钯键合铜丝由于采用金属钯作为镀层,因此相对于镀金键合铜丝来说,其导电性能存在不足。中国授权实用新型专利CN201788710U公开了一种高导光亮复合镀银铜丝,其采用金属银作为铜丝的镀层,由于银的优良导电性能以及其相对适中的价格,因此其能在一定范围内取代镀金和镀钯键合铜丝。但是这种镀银键合铜丝同样存在不足,例如延展性不好,在加工过程中容易被破坏。
半导体集成电路制造完成后所得的芯片虽然已经具有特定的功能,但是要实现该功能,必须通过与外部电子元件的连接。而半导体集成电路芯片需要经过与封装体的键合工序,最终得到芯片封装,如此才能通过封装的引脚与外部电子元件连接。在芯片与封装体的键合工艺中,都通过键合线将芯片上的焊盘与封装体的引脚进行电连接。所以键合线是实现芯片功能必不可少的材料。现有技术中,因为纯金的导电性能优异,键合线多由纯金制成。但随着黄金资源的日益稀缺、价格持续攀升,封装成本大幅上升。为此业内技术人员研发出镀金铜丝产品来替代金丝的产品。该镀金铜丝是通过在铜芯上镀金来形成,这种产品兼顾了金的优异导电性能,而且采用铜来作为芯体,从而可以减少金的用量,节约了成本。然而,镀金键合铜丝虽然价格低廉,且在拉伸、剪切强度和延展等方面的性能优于金丝,但随着芯片行业的快速小型化、多引脚高密度化,镀金键合铜丝越来越无法满足需求。这是因为铜的导电性能虽然良好,但相对于金来说,其电阻率较高,这导致其在体积非常小的芯片封装中所产生的热量无法忽视。因而有必要研究一种即经济又性能优异的替代键合丝。并且,现有技术中镀银键合铜丝的制造方法一般都是粗拔后直接一次精拔成型的工艺,这种工艺由于仅采用一次精拔,铜丝由很大的直径一次被拉拔成很细的直径,直径的减小过程过于激烈,因此容易造成断线。本发明采用紫铜作为铜丝基底材料,,创造性的将金属锡复合合金镀膜在紫铜丝表层提高铜丝的导电灵敏性能、同时克服了强度和韧度的平衡,具有极高的市场价值。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种镀锡紫铜丝的制备方法,该工艺对紫铜丝材料进行特殊清洗,利用真空热处理的方式对紫铜丝进行软化,然后使用真空离子镀膜机将混合的锡溶液涂覆至紫铜丝表面,使其形成复合层,最后利用红外烘烤,紫外固化使镀锡表层稳固化得到镀锡紫铜丝。制备而成的镀锡紫铜丝,其直径细小、导电性能灵敏、韧度高,具有较好的应用前景。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种镀锡紫铜丝的制备方法,包括以下步骤:
(1)将Y2态紫铜丝置于氮气工作室中清洗,使用4.5%的碳酸氢钠溶液清洗三遍,然后用7.5%的双氧水清洗一遍,自然晾干备用;
(2)将锡粉5-8份、二氧化硅1-3份、镁粉2-3份加入反应釜进行高温辊炼,反应釜加热至900-1000℃,加压维持在5MPa,持续反应30-60分钟,再向反应釜中加入甲基磺酸1-3份、抗氧化剂1-4份,搅拌混匀后降温至500-550摄氏度备用;
(3)将步骤(1)中清洗处理的紫铜丝置于真空热处理炉中,升温至300-320℃,充入惰性气体后抽真空,保温10-20分钟后自然降温至常温;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造