[发明专利]一种太阳能电池及制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及光伏电池领域，特别是涉及一种P型太阳能电池的制备方法及电池。

背景技术

随着晶硅太阳能电池技术的不断革新，目前有关电池技术也得到了显著的发展，近年来电池也开始进行产业化的生产。

但是如何让太阳能电池抗PID(potential Induced Degradation中文名：潜在电势诱导衰减)，尤其是让太阳能电池背面抗PID这一技术难题一直是困扰着各公司。

对于太阳能电池的背面，通常是设有氧化铝膜层作为钝化层，以减少太阳能电池背面的载流子复合。但是当太阳能电池长时间在高电压下工作，可能会使得太阳能电池与封装材料之间形成漏电流。当大量的电荷聚集在太阳能电池的表面时，会使得太阳能电池表面的钝化层的钝化效果恶化，从而加剧太阳能电池背面的载流子复合，从而降低太阳能电池的FF(填充因子)、Jsc(短路电流)、Voc(开路电压)。

有关所述漏电流的形成，通常是由于水蒸气进入封装材料与太阳能电池之间后，会发生反应生成带电离子，并且由于太阳能电池的边框通常是接地的，会存在偏压，在偏压的作用下，会产生漏电流。长期的漏电流会腐蚀太阳能电池的钝化层，从而降低太阳能电池的FF、Jsc、Voc等参数。

现有技术中，通常是将电池背面的氧化铝膜层加厚，以获得更佳的抗PID性能；但是在现有技术中，通过加厚氧化铝膜层所制得的电池仍然存在背面抗PID失效的风险。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池，该电池具有较高的背面抗PID能力；本发明的另一目的在于提供一种太阳能电池的制备方法，可以显著提高电池的背面抗PID的能力。

为解决上述技术问题，本发明提供一种太阳能电池，所述电池包括太阳能基板和电极；所述太阳能基板包括衬底层、设置在所述衬底层正面的掺杂层、设置在所述衬底层背面的第一氧化硅膜层和钝化层，所述第一氧化硅膜层设置在所述衬底层和所述钝化层之间；

所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在所述太阳能基板的正面，连接所述掺杂层；所述第二电极设置在所述太阳能基板的背面，连接所述衬底层。

可选的，所述电池还包括设置在N型掺杂层表面的第二氧化硅膜层。

可选的，所述电池还包括减反膜，所述减反膜设置在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层表面。

可选的，所述衬底层为硅衬底层。

可选的，所述衬底层为P型硅衬底层，所述掺杂层为N型掺杂层。

可选的，所述第一氧化硅膜层的厚度的取值范围为：5nm至15nm。

本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括：

在衬底层的正面进行扩散，以形成掺杂层；

在所述衬底层的背面制备第一氧化硅膜层；

在所述第一氧化硅膜层的表面制备钝化层，以形成太阳能基板；

在所述太阳能基板的正面形成第一电极，所述第一电极连接所述掺杂层；

在所述太阳能基板的背面形成第二电极，所述第二电极连接所述衬底层，以制备出太阳能电池。

可选的，在所述在衬底层的正面进行扩散，以形成掺杂层之后，所述方法还包括：

在所述掺杂层表面制备第二氧化硅膜层。

可选的，在所述第一氧化硅膜层的表面制备钝化层之后，所述方法还包括：

在所述钝化层和所述第二氧化硅膜层的表面均形成减反膜。

可选的，所述在衬底层的正面进行扩散之前，还包括：

在所述衬底层表面制绒；

所述在衬底层的正面进行扩散之后，还包括：

对所述衬底层背面进行抛光。

本发明所提供的一种太阳能电池，通过在衬底层的背面制备一层氧化硅膜层来提高电池背面抗PID的能力；由于氧化硅膜层具有优异的绝缘性、热稳定性、抗腐蚀等优点，可以有效降低漏电流对电池背面的影响；并且氧化硅膜层的成本非常低，并且制备简单。本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，同样具有上述有益效果，在此不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种太阳能电池的结构示意图；

图2为本发明实施例所提供的一种太阳能电池的制备方法的流程图。

具体实施方式