[发明专利]编程非易失性存储器的方法及存储器系统

权利要求书

1.一种在编程期间编程非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括多个存储单元，部分这些存储单元的每一存储单元存储至少具有2位的数据，该方法包括：

提供至少一编程脉冲以编程这些存储单元的一目标存储单元；

施加至少一编程验证脉冲至该目标存储单元；

在该目标存储单元的一阈值电压大于或等于一编程验证电压的情况下，设定该目标存储单元为编程成功；以及

在该目标存储单元被设定为编程成功的情况下，对该目标存储单元执行一再验证操作，该再验证操作包括施加至少一再验证脉冲至该目标存储单元，其中，该至少一再验证脉冲的振幅等于该至少一编程验证脉冲的振幅；

其中，当目标存储单元的阈值电压大于或等于再验证电压，在提供一个再编程脉冲之前，提供至少两次再验证脉冲以验证目标存储单元的阈值电压是否大于或等于再验证电压，直至所述目标存储单元的阈值电压被判断为小于所述再验证电压，或提供再验证电压的次数等于再验证次数；

其中该再验证操作还包括：

在该目标存储单元的该阈值电压小于一再验证电压的情况下，提供一振幅大于该至少一编程脉冲的振幅的再编程脉冲以编程该目标存储单元。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

在提供该至少一编程脉冲前，擦除这些存储单元。

3.一种在编程期间编程非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括多个存储单元，部分这些存储单元的每一存储单元存储至少具有2位的数据，该方法包括：

提供至少一编程脉冲；

提供至少一编程验证脉冲；

使能一编程成功信号；以及

在使能该编程成功信号后，提供至少一再验证脉冲，其中，该至少一再验证脉冲的振幅等于该至少一编程验证脉冲的振幅；

其中，当目标存储单元的阈值电压大于或等于再验证电压，在提供一个再编程脉冲之前，提供至少两次再验证脉冲以验证目标存储单元的阈值电压是否大于或等于再验证电压，直至所述目标存储单元的阈值电压被判断为小于所述再验证电压，或提供再验证电压的次数等于再验证次数；

还包括：在提供该至少一再验证脉冲之后，提供一振幅大于该至少一编程脉冲的振幅的再编程脉冲。

4.如权利要求3所述的方法，还包括：

在提供该至少一再验证脉冲之后，使能一验证完成信号。

5.如权利要求4所述的方法，还包括：

在使能该编程成功信号之后以及在提供该至少一再验证脉冲之前，提供一使能再验证操作信号。