[发明专利]单一引线‑框架堆叠的芯片电流绝缘子在审

专利信息
申请号: 201710825798.7 申请日: 2017-09-14
公开(公告)号: CN107818966A 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: G·博纳蒂尼斯 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/64;H01L21/48
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 周阳君
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 单一 引线 框架 堆叠 芯片 电流 绝缘子
【权利要求书】:

1.集成绝缘装置,包括:

第一半导体芯片,包括:

至少一种第一电路;和

至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝缘组件和位于第一半导体芯片的第二层中的第二绝缘组件;和

位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片具有至少一种第二电路。

2.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第一绝缘组件被构造为在第一电压下运行,并且所述第二绝缘组件被构造为在与第一电压不同的第二电压下运行。

3.权利要求2所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种第一电路被构造为在第一电压下运行,并且至少一种第二电路被构造为在第二电压下运行。

4.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种第一电路包括发射器或接收器,并且至少一种第二电路包括发射器或接收器。

5.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述集成器件还包括引线框架,并且所述第一半导体芯片安装在所述引线框架上。

6.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述至少一种绝缘子包括变压器,并且第一绝缘组件和第二绝缘组件是线圈。

7.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第二半导体芯片和所述绝缘子是不重叠的。

8.权利要求1所述的集成绝缘装置,其中所述第二半导体芯片位于所述绝缘子上。

9.权利要求8所述的集成绝缘装置,还包括通过所述第二半导体芯片的至少一种通孔,其中所述至少一种通孔使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

10.权利要求8所述的集成绝缘装置,还包括位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的至少一种支柱,其中所述至少一种支柱使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

11.一种制造具有绝缘子的集成器件的方法,该方法包括:

在第一半导体芯片的第一层中形成第一绝缘组件,其中所述第一半导体芯片包括至少一种第一电路;

在所述第一半导体芯片的第二层中形成第二绝缘组件;和

在所述第一半导体芯片上定位第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片包括至少一种第二电路。

12.权利要求11所述的方法,其中在所述第一半导体芯片上定位第二半导体芯片包括定位所述第二半导体芯片以重叠所述第一半导体芯片的第二绝缘组件。

13.权利要求11所述的方法,还包括在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间形成支柱。

14.权利要求13所述的方法,其中形成支柱包括形成支柱以使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

15.权利要求11所述的方法,还包括通过所述第二半导体芯片的电路层形成通孔,以使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

16.系统,包括:

第一半导体芯片,包括:

至少一种第一电路被构造为在第一电压域下运行;和

至少一种绝缘子,具有位于第一半导体芯片的第一层中的第一绝缘组件和位于第一半导体芯片的第二层中的第二绝缘组件;和

位于所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,其中所述第二半导体芯片具有至少一种第二电路,被构造为在与第一电压域不同的第二电压域下运行。

17.权利要求16所述的系统,还包括其上设置第一半导体芯片的第一引线框架,其中所述第一半导体芯片上的电触点电耦合所述第一引线框架上的电触点,并且其中所述第二半导体芯片上的电触点电耦合所述第二引线框架上的电触点。

18.权利要求16所述的系统,其中所述第二半导体芯片位于所述绝缘子上。

19.权利要求18所述的系统,还包括通过所述第二半导体芯片的至少一种通孔,其中所述至少一种通孔使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

20.权利要求18所述的系统,还包括位于所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的至少一种支柱,其中所述至少一种支柱使所述第二绝缘组件电耦合所述第二半导体芯片的触点。

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