[发明专利]一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用

权利要求书

1.一种半导体制程正性光刻胶去胶液，其特征在于，包含链烷醇胺、金属缓蚀剂、与水混溶的极性有机溶剂、添加剂和水，添加剂为低碳硝基烷烃及其衍生物，低碳硝基烷烃的碳原子数为1～3；按重量百分比计，去胶液包含链烷醇胺3～25%、金属缓蚀剂0.001～5%、与水混溶的极性有机溶剂5～10%、添加剂0.1～10%和水60～87%；

极性有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮和DMF（N，N-二甲基甲酰胺）以重量比1:3混合而成；链烷醇胺为二乙醇胺和/或三乙醇胺，添加剂为2-硝基-2-甲基-1,3-丙二醇和/或2-硝基-2-乙基-丙二醇，所述正性光刻胶为酚醛树脂。

2.根据权利要求1所述的半导体制程正性光刻胶去胶液，其特征在于，金属缓蚀剂为选自炔醇类缓蚀剂、水溶性巯基苯并噻唑类缓蚀剂和苯并三氮唑类缓蚀剂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的半导体制程正性光刻胶去胶液，其特征在于，去胶液中还包括表面活性剂，表面活性剂为非离子表面活性剂。

4.根据权利要求1所述的半导体制程正性光刻胶去胶液，其特征在于，去胶液中还包括表面活性剂，表面活性剂为双子表面活性剂。

5.权利要求1-4中任意一项所述的半导体制程正性光刻胶去胶液的应用，其特征在于，正性光刻胶下方的布线材料为铝或铜或铜铝合金。