[发明专利]像素电路及其驱动方法、显示装置在审
| 申请号: | 201710825147.8 | 申请日: | 2017-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN109509431A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
| 发明(设计)人: | 栾梦雨;吴新风;胡友元;王欣竹;李菲;李慧慧;赵程鹏;毛波;杨凯;齐忠胜;刘杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素电路 驱动晶体管 发光单元 短接 显示装置 阈值电压补偿 驱动 补偿单元 范围受限 驱动电压 阈值电压 并联 加载 串联 | ||
1.一种像素电路,其特征在于,包括:
驱动晶体管;
发光单元,其与所述驱动晶体管串联,用于根据流过的电流发相应亮度的光;
补偿单元,其用于将与所述驱动晶体管阈值电压相关的驱动电压加载在驱动晶体管的栅极;
短接单元,其与所述发光单元并联,用于在短接控制端的控制下将发光单元两端短接。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述发光单元包括有机发光二极管,其中,
所述有机发光二极管的第一极连接第一电源端,第二极连接补偿单元。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述短接单元包括短接晶体管,其中,
所述短接晶体管的栅极连接短接控制端,第一极连接有机发光二极管的第一极,第二极连接有机发光二极管的第二极。
4.根据权利要求3所述的像素电路,其特征在于,
所述驱动晶体管的栅极连接补偿单元,第一极连接补偿单元,第二极连接第二电源端。
5.根据权利要求4所述的像素电路,其特征在于,所述补偿单元包括:
存储电容,其第二极连接驱动晶体管的栅极;
写入模块,其用于在第一控制端和第二控制端的控制下,决定数据电压端或参考电压端的信号是否引入存储电容的第一极;
读取模块,其用于在第三控制端和第四控制端的控制下,将驱动晶体管的第一极与存储电容的第二极和/或有机发光二极管的第二极导通。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,所述写入模块包括第一晶体管和第二晶体管,其中,
所述第一晶体管的栅极连接第一控制端,第一极连接数据电压端,第二极连接存储电容的第一极;
所述第二晶体管的栅极连接第二控制端,第一极连接存储电容的第一极,第二极连接参考电压端。
7.根据权利要求6所述的像素电路,其特征在于,所述读取模块包括第三晶体管和第四晶体管,其中,
所述第三晶体管的栅极连接第三控制端,第一极连接有机发光二极管的第二极,第二极连接驱动晶体管的第一极;
所述第四晶体管的栅极连接第四控制端,第一极连接存储电容的第二极,第二极连接驱动晶体管的第一极。
8.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,
所述驱动晶体管为N型晶体管。
9.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,
所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、短接晶体管同时为N型晶体管或P型晶体管。
10.根据权利要求7所述的像素电路,其特征在于,还包括保持电容,其中,
所述保持电容的第一极连接存储电容的第一极,第二极连接接地端口。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:
多个如权利要求1至10中任意一项所述的像素电路。
12.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路为权利要求1至10中任意一项所述的像素电路,所述像素电路的驱动方法包括:
补偿阶段,本阶段中,短接单元导通以将发光单元短接;
写入发光阶段,本阶段中,向驱动晶体管的栅极加载与驱动晶体管阈值电压相关的驱动电压,且短接单元关断以使发光单元发光。
13.根据权利要求12所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路为权利要求8所述的像素电路;所述补偿阶段包括:
重置子阶段:向短接控制端提供导通信号,向第一控制端提供关断信号,向第二控制端提供导通信号,向第三控制端提供导通信号,向第四控制端提供导通信号;
检测子阶段:向短接控制端提供导通信号,向第一控制端提供关断信号,向第二控制端提供导通信号,向第三控制端提供关断信号,向第四控制端提供导通信号。
14.根据权利要求13所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述写入发光阶段包括:
写入子阶段:向短接控制端提供关断信号,向第一控制端提供导通信号,向第二控制端提供关断信号,向第三控制端提供导通信号,向第四控制端提供关断信号;
发光子阶段:向短接控制端提供关断信号,向第一控制端提供关断信号,向第二控制端提供关断信号,向第三控制端提供导通信号,向第四控制端提供关断信号。
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