[发明专利]单晶硅籽晶拼接方法在审
| 申请号： | 201710824128.3 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN107740192A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 肖贵云;陈伟;陈志军;金浩;林瑶 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/06 | 分类号： | C30B33/06;C30B11/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 籽晶 拼接 方法 | ||
1.一种单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，包括：
依次在每一单晶硅籽晶的拼接面涂覆粘结剂，然后将涂覆有所述粘结剂的单晶硅籽晶按预设位置依次在一水平工作台上拼接，以形成一籽晶层；
静置预设时间后，通过机器手将所述籽晶层放入一坩埚的底端。
2.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述粘结剂的主要组分包括硅溶胶和陶瓷粘结剂混合物，硅溶胶与陶瓷粘结剂混合比例的范围为1：3至2：1。
3.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，每两个所述单晶硅籽晶之间的高度差均小于1mm。
4.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述粘结剂的涂覆方式为：从所述拼接面的下端向上涂覆，且涂覆后的粘结剂的高度为所述拼接面的高度的20％-100％。
5.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述将涂覆有所述粘结剂的单晶硅籽晶按预设位置依次在一水平工作台上拼接的步骤包括：挤压拼接好的两所述单晶硅籽晶，以使两所述单晶硅籽晶拼接紧密。
6.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述静置预设时间的步骤之前，所述方法包括：将籽晶层放置在湿度小于50％的室内。
7.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述预设时间为600s-3600s。
8.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述依次在每一单晶硅籽晶的拼接面涂覆粘结剂的步骤之前，所述方法包括：对每一所述单晶硅籽晶进行冲洗。
9.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述籽晶层的四条边与对应的坩埚内壁的距离相等。
10.根据权利要求1所述的单晶硅籽晶的拼接方法，其特征在于，所述水平工作台的表面粗糙度小于0.2mm。
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