[发明专利]一种半导体芯片自对准摆片

权利要求书

1.一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：包括硅片底座(3)、刻蚀槽(2)、对准条(1)和翻转板(5)；

对准条(1)沿硅片底座(3)的表面纵向设置，在硅片底座(3)上设置一系列相同的刻蚀槽(2)，刻蚀槽(2)沿硅片底座(3)的表面横向设置；热沉(4)摆放到硅片底座(3)上，翻转板(5)放置在热沉(4)上；热沉(4)的侧部边缘与放在刻蚀槽(2)中的管芯侧部边缘对准；

管芯放置在刻蚀槽(2)后，管芯P面即正面凸出于硅片底座(3)的表面；利用热沉(4)铟材料的粘附性，将管芯压放在热沉(4)上；刻蚀槽(2)的深度小于管芯的厚度。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：刻蚀槽(2)的数量和尺寸大小取决于硅片底座(3)的尺寸大小以及所需摆放管芯的尺寸大小和热沉(4)的尺寸大小。

3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：所述刻蚀槽(2)的深度与所摆放管芯的厚度相对应，刻蚀槽(2)的形状与管芯的形状一致。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：刻蚀槽(2)进行抛光处理，以保护管芯的腔面不被磨损。

5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：所述对准条(1)与刻蚀槽(2)的距离取决于热沉(4)的尺寸大小。

6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片自对准摆片，其特征在于：在管芯和热沉放置对准好后放置翻转板(5)轻压，然后将整个器件翻转，取下硅片底座(3)，管芯将对准摆放在热沉(4)上。

7.利用权利要求1所述自对准摆片进行的设计方法，其特征在于：半该方法包括如下流程：

步骤101：该半导体芯片自对准摆片设计包括硅片底座、刻蚀槽、对准条、翻转板；

步骤102：刻蚀槽位于硅片底座上，刻蚀槽采用干法刻蚀和湿法刻蚀两种方式进行制备，刻蚀槽的尺寸与所需摆放的芯片尺寸是一致的，刻蚀槽深度小于芯片厚度，刻蚀槽边缘需刻蚀的陡直，为了保护芯片的前后腔面，刻蚀槽刻蚀完成后，需进行抛光处理，使其内部侧壁光滑平整，防止芯片腔面被磨损；

步骤103：对准条的一面与刻蚀槽一个端面完全平齐，对准条高度小于所使用的热沉高度，每两个对准条之间的距离与热沉宽度相等；

步骤104：所述翻转板采用硅片材质，要求表面平滑，形状是长方形、正方形或圆形。