[发明专利]一种闪存存储器混合读写方法及混合读写闪存存储器

权利要求书

1.一种闪存存储器混合读写方法，其特征是，在闪存存储器中将单值存储、多值存储、三值存储和四值存储四种存储模式进行混合操作，四种存储模式中的至少两种混合应用于同一存储区的不同字线。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是，所述闪存存储器在使用时设置不同区域固定的读写方式，或者对每一条字线、每一层存储区域或每一片储区域动态选择读写方式。

3.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是：所述混合操作应用于在同一存储区域里有存储单元特性差异和存储分布性差异的闪存存储器。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是：所述混合操作中不同的存储模式或在初期限定，或在存储器读写的过程中动态调整。

5.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是：所述闪存存储器如果是二维平面闪存存储器，混用操作在于不同的存储芯片或者存储区。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是：所述闪存存储器如果是三维闪存存储器，混用操作按以下模式：一是应用于不同的存储芯片或者存储区域，二是通过添加选择控制器对同一存储区中不同字线选择不同的读写方式，将相邻两层设置为不同的读写方式，或划分不同存储区域来对应不同读写方式。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器混合读写方法，其特征是：所述闪存存储器如果是三维闪存存储器，三维闪存存储器上层和下层的存储单元区域采用单值存储模式，中间部分的存储单元区域采用多值存储或者三值存储模式读写并且通过选择控制器进行控制。

8.一种混合读写闪存存储器，包括数据接口、NAND控制器和存储区域；其特征是：NAND控制器中设置有负责管理存储区域划分的存储区域管理模块和负责与不同存储区域动作模式对应的存储模式控制模块。

9.根据权利要求8所述的混合读写闪存存储器，其特征是：所述存储区域管理模块根据存储模式的数量分为相同数量的存储区域。