[发明专利]一种用于经颅磁刺激的四线圈结构及其应用有效

专利信息
申请号: 201710817412.8 申请日: 2017-09-12
公开(公告)号: CN107485787B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 王为民;王春忠;张元冬 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: A61N2/02 分类号: A61N2/02
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 贾晓玲
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 经颅磁 刺激 线圈 结构 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,具体步骤包括:首先在头部固定一个或多个四线圈结构,用于经颅磁刺激的四线圈结构,包括呈正方形结构的四个相邻的小线圈、两个储能电容和12个继电器,每个小线圈独立引出正、负两条引线;每个储能电容的正极引出线分别接一个可控硅作为放电开关;两个储能电容控制不同的继电器或继电器组合给不同的小线圈或小线圈组合供电;每个四线圈结构中的相邻线圈之间的切点区域为磁刺激焦点,选择目标磁刺激焦点的位置,确定小线圈之间的连接;控制每个四线圈结构的两个储能电容通过继电器或继电器组合给选定的小线圈供电;实现选定的目标磁刺激焦点作用。

2.权利要求1所述经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,所述小线圈是指导线经过盘绕若干匝后呈空心的圆柱状结构。

3.权利要求2所述经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,所述导线的截面积范围6-12平方毫米。

4.权利要求2所述经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,所述空心的圆柱状结构的内直径范围是20-40毫米;外直径范围是40-60毫米;高度范围是6-12毫米。

5.权利要求1所述经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,所述储能电容值的范围140-300uF。

6.如权利要求1所述的经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,分别给每个四线圈结构的两个相邻的小线圈供电,实现四线圈结构的四个独立的单个磁刺激焦点作用。

7.如权利要求1所述的经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,分别给每个四线圈结构的两组相邻的小线圈供电,实现四线圈结构的不同两组的两个磁刺激焦点同时作用。

8.如权利要求1所述的经颅磁刺激的控制方法,其特征在于,分别给每个四线圈结构的小线圈供电,实现四个磁刺激焦点同时作用。

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