[发明专利]具有阈值电压不同的晶体管的CMOS电路及其制造方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体电路，包括基底以及位于基底上的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，每个场效应晶体管包括：

多个接触件；

源极，连接到所述多个接触件中的一个接触件；

漏极，连接到所述多个接触件中的另一个接触件；

栅极；以及

间隔件，位于所述栅极和所述接触件之间，

其中，第一场效应晶体管的间隔件具有比第二场效应晶体管的间隔件的气隙大的气隙。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体电路，其中，第一场效应晶体管的间隔件具有比第二场效应晶体管的间隔件的整体密度小的整体密度。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体电路，其中，每个场效应晶体管的栅极包括金属栅极以及形成在金属栅极的底部处和外围周围的高k介电材料，每个金属栅极包括相同的材料，

其中，第一场效应晶体管的金属栅极的有效功函数不同于第二场效应晶体管的金属栅极的有效功函数。

4.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体电路，其中，第二场效应晶体管的间隔件不具有气隙。

5.根据权利要求4所述的互补金属氧化物半导体电路，其中，每个场效应晶体管的栅极包括相同的功函数金属。

6.一种制造互补金属氧化物半导体电路的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成多个场效应晶体管；

选择性地蚀刻所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管的间隔件；以及

在所述多个场效应晶体管中的所述一个场效应晶体管中形成另一间隔件，所述另一间隔件包括气隙。

7.根据权利要求6所述的方法，所述方法还包括在所有的场效应晶体管上形成连续的密封剂层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述多个场效应晶体管的步骤包括替代金属栅极工艺。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述另一间隔件的步骤包括化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、减压化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述另一间隔件的步骤还包括在氧、臭氧和/或氧化环境下沉积原硅酸四乙酯。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述另一间隔件的步骤还包括在氢或还原环境下沉积氮化硅、碳氮氧化硅或碳氮化硅硼。

12.一种制造互补金属氧化物半导体电路的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上形成多个场效应晶体管，每个场效应晶体管包括多个接触件、连接到所述多个接触件中的一个接触件的源极、连接到所述多个接触件中的另一个接触件的漏极、栅极以及位于所述栅极与所述接触件之间的间隔件；

仅对来自所述多个场效应晶体管中的一些场效应晶体管的间隔件进行蚀刻；以及

在间隔件被蚀刻的场效应晶体管中形成另一间隔件，所述另一间隔件包括气隙。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在对所述间隔件的蚀刻的步骤之后并且在形成所述另一间隔件的步骤之前，所述多个场效应晶体管中的第一组包括所述间隔件，所述多个场效应晶体管中的第二组在栅极和接触件之间具有未被占有的空隙。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成所述另一间隔件的步骤之后，所述多个场效应晶体管中的所述第二组具有与所述多个场效应晶体管中的所述第一组的阈值电压不同的阈值电压。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述多个场效应晶体管的步骤包括使栅极平坦化。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，对所述间隔件进行蚀刻的步骤直接发生在所述使栅极平坦化的步骤之后。

17.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述另一间隔件的步骤包括化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、低压化学气相沉积工艺、减压化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述另一间隔件的步骤还包括在氧和/或臭氧环境下沉积原硅酸四乙酯。