[发明专利]X射线探测器的信号读出装置和方法在审

专利信息
申请号: 201710812228.4 申请日: 2017-09-11
公开(公告)号: CN107765291A 公开(公告)日: 2018-03-06
发明(设计)人: 史再峰;李杭原;孟庆振;曹清洁;罗韬 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01T1/36 分类号: G01T1/36;A61B6/03
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 射线 探测器 信号 读出 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种X射线探测器的信号读出装置,其特征是,结构包括:衬底部分、埋层部分作为探测器的主体完成X射线的接收及光电信号的转化,衬底部分尺寸以全部吸收待探测能谱范围内的X射线光子为宜;热氧化生长的氧化物实现衬底部分与电极的电绝缘隔离,埋层部分则与电极相连通;所述电极为多晶硅或金属材料,顺序排布于热氧化生长的氧化物中,每个电极都通过金属导线连接至时序控制单元,时序控制单元控制相邻电极高低电平周期性变化,实现电荷包的顺序读出,电极的三维尺寸、个数及电极间距由衬底尺寸及光生电荷收集效率而定,顺序排布的电极应满足完全收集曝光后光生电荷的要求;背面电极与所述电极分布于衬底部分两侧,背面电极尺寸及分布情况与所述电极相对应;遮光板用于控制X射线曝光时间;收集电极用于收集前面电极下势阱电荷的,收集电极能产生势阱,将前面的电荷都收集完毕后,通过浮置扩散经输出电极将电荷读出到数字累加器经寄存器输出,完成混合累加中电荷累加输出。

2.如权利要求1所述的X射线探测器的信号读出装置,其特征是,埋层材料可以选择轻掺杂的N型硅,也可以是锗、碲锌镉或者碲化镉半导体,衬底材料可以选择轻掺杂的P型硅,也可以是锗、碲锌镉或者碲化镉半导体。

3.一种X射线探测器的信号读出方法,其特征是,步骤如下:

Step1:X射线曝光。打开X射线遮光板进行曝光;

Step2:光生电荷收集转移:X射线开始照射后,立刻将所有的电极置为高电平,将背面电极全部置为低电平,在曝光期间实现光生电荷收集的功能,遮光板关闭后电荷收集结束,结束曝光后,开始进行电荷转移,电荷在电极电压的控制下以电荷包的形式在相邻电极间转移;

Step3:将半导体中光生电荷按顺序分组,针对能谱解析过程,在电荷转移读出后,待解析的分段能谱有几种,即将半导体内的光生电荷顺序组合成不同的几组,电荷分组的位置以相应能量段的X射线在该半导体厚度内完全吸收为宜;

Step4:光生电荷信号的电荷域累加:重复Step2中转移步骤,直到收集的光生电荷依次转移到收集电极下的大容量势阱中,此时便完成了电荷域累加功能。然后将光生电荷通过采用浮置扩散方式的右端读出电路读出,具体实现方式为:将输出控制极OG设置为高电平,输出电极将电荷读出;

Step5:A/D转换;

Step6:光生电荷重构分组:在Step3对电荷处理的基础上,按照预设的n种分组方案,分别调整电荷分组的位置,进而改变各组内电荷的总量后再将各组电荷累加,当所有的n种方案都重构结束后,完成电荷重构分组累加过程;

Step7:读出电荷信号并进行数字域累加:基于Step2,第一组的累加读出结果由相邻层累加读出结果构成,具体的构成方式为:将若干相邻层经过电荷域累加后的结果读出后,再通过数字域累加的方式使用数字加法器完成对量化结果的累加,最终完成了电荷数字域混合累加的功能;第二组、第三组及其余组与第一组类似,结果也是由相邻的若干层累加读出结果构成;基于Step6,调整电荷分组位置后便改变了一组的层数,层数的改变对应着电荷总量的改变,经过电荷域与数字域混合域累加后对应的成像精度改变,进而提高成像精度和能谱探测的动态范围。

4.如权利要求3所述的X射线探测器的信号读出方法,其特征是,光生电荷收集转移在一个实例中为三相转移逻辑,所示实例中一个像素结构有三相,一层有一个像素结构,具体时序:t1时刻,V1设置为高电平,电荷会在曝光期间被收集到V1下的势阱中;t2时刻,V1设置为1/2倍的高电平,V2设置为高电平,两个电极之间存在势垒,在此过程中V1收集的电荷将不断流向V2;在t3时刻,V1下的电子将全部转移至V2下的势阱中,V3设置为高电平;t4时刻,V2下的电荷向V3转移,至t5时刻V2电荷全部转移至V3下的势阱中。至此完成了一次完整的三相控制电荷转移过程;相应地顺序分组为三组。

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