[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：缓冲器控制电路，其适用于响应于掉电模式信号和检测脉冲而产生缓冲器控制信号；第一缓冲器电路，其适用于通过在掉电模式下根据响应于缓冲器控制信号而产生的选择信号缓冲芯片选择信号，来产生第一内部芯片选择信号；以及检测脉冲产生电路，其适用于响应于第一内部芯片选择信号而产生检测脉冲。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年3月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0038477的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种具有掉电模式的半导体器件。

背景技术

半导体存储器件具有作为一种待机模式的掉电模式。掉电模式是一种操作模式，其中，施加电力但是中断内部时钟的产生以降低功耗。在掉电模式下，为了降低功耗，重要的是限制泄漏电流的量。

发明内容

各种实施例涉及一种在掉电模式下控制缓冲器的操作的半导体器件。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：缓冲器控制电路，其适用于响应于掉电模式信号和检测脉冲而产生缓冲器控制信号；第一缓冲器电路，其适用于通过在掉电模式下根据响应于缓冲器控制信号而产生的选择信号缓冲芯片选择信号，来产生第一内部芯片选择信号；以及检测脉冲产生电路，其适用于响应于第一内部芯片选择信号而产生检测脉冲。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一缓冲器电路，其适用于在选择信号具有第一逻辑电平的情况下，通过缓冲芯片选择信号来产生第一内部芯片选择信号；第二缓冲器电路，其适用于在选择信号具有第二逻辑电平的情况下，通过缓冲芯片选择信号来产生第二内部芯片选择信号；检测脉冲产生电路，其适用于响应于所述第二内部芯片选择信号而产生检测脉冲；以及缓冲器控制电路，其适用于响应于检测脉冲而产生缓冲器控制信号。

在一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一缓冲器电路，其适用于通过在正常操作模式下缓冲芯片选择信号来产生第一内部芯片选择信号；第二缓冲器电路，其适用于通过在掉电模式下缓冲芯片选择信号来产生第二内部芯片选择信号；以及命令地址缓冲器电路，其适用于通过在掉电模式下缓冲命令地址来产生内部命令地址，响应于掉电模式信号而进入掉电模式，并且响应于与第二内部芯片选择信号的边沿同步产生的检测脉冲而退出掉电模式。

在一个实施例中，半导体器件可以包括：缓冲器控制电路，其适用于响应于掉电模式信号和掉电模式退出信号而产生缓冲器控制信号；第一缓冲器电路，其适用于通过在掉电模式下响应于缓冲器控制信号而缓冲芯片选择信号，来产生第一内部芯片选择信号；以及第二缓冲器电路，其适用于通过在正常操作模式下响应于缓冲器控制信号而缓冲芯片选择信号，来产生第二内部芯片选择信号。

附图说明

图1是示出了根据一个实施例的半导体器件的配置的示例表示的框图。

图2是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的第一缓冲器电路的示例表示的电路图。

图3是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的第二缓冲器电路的示例表示的电路图。

图4是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的命令地址缓冲器电路的示例表示的电路图。

图5是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的检测脉冲产生电路的示例表示的电路图。

图6是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的缓冲器控制电路的示例表示的电路图。

图7是示出了包括在图1中所示的半导体器件中的延迟电路的示例表示的电路图。

图8是用于辅助说明根据本实施例的半导体器件的操作的时序图的示例表示。

图9是示出了根据另一个实施例的半导体器件的配置的示例表示的框图。