[发明专利]一种图形转移方法

权利要求书

1.一种图形转移方法，其特征在于，包括：

在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层；

通过光刻工艺形成可溶解金属层于所述氧化薄膜层上的部分区域，以将掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层，所述可溶解金属层为镍；

涂覆PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，以在所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域和覆盖所述氧化薄膜层上部分区域的可溶解金属层上均形成PMMA层，涂覆PMMA的厚度小于或等于所述可溶解金属层的厚度的一半；

通过反应离子刻蚀，以使所述可溶解金属层上的PMMA被完全刻蚀以露出所述可溶解金属层，以及所述氧化薄膜层上未被所述可溶解金属层覆盖的区域上留有PMMA层；

通过过硫酸钾溶液浸泡，腐蚀去除所述氧化薄膜层上的可溶解金属层，以将所述可溶解金属层上的目标图形转移至未被所述可溶解金属层覆盖的区域上的PMMA层；

将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。

2.如权利要求1所述的图形转移方法，其特征在于，在所述将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离之后，所述方法还包括：

将所述带有目标图形的PMMA层对准贴合在待加工的光纤端面或非平整待加工面上；

隔着所述带有目标图形的PMMA层在所述光纤端面或非平整待加工面上沉积导电金属，以将所述目标图转移至所述光纤端面上或非平整待加工面上；

从所述光纤端面上或非平整待加工面上去除所述带有目标图形的PMMA层。

3.如权利要求2所述的图形转移方法，其特征在于，所述晶圆衬底为硅片衬底，所述氧化薄膜层为二氧化硅薄膜层；

所述在晶圆衬底表面形成氧化薄膜层的步骤，包括：

将所述硅片衬底在浓硫酸和过氧化氢溶液的混合溶液中进行浸泡，以在所述硅片衬底的表面氧化成二氧化硅薄膜层。

4.如权利要求2所述的图形转移方法，其特征在于，所述通过光刻工艺形成可溶解金属层于所述氧化薄膜层上的部分区域的步骤，包括：

在所述氧化薄膜层上旋涂光刻胶层；

通过曝光和显影将目标图形转移至未曝光区域的光刻胶上；

在所述未曝光区域的光刻胶上以及所述氧化薄膜层上未被所述未曝光区域的光刻胶覆盖的区域上沉积可溶解金属；

去除所述未曝光区域的光刻胶以及所述未曝光区域的光刻胶上的可溶解金属，使得掩模版上的目标图形转移至所述氧化薄膜层上的可溶解金属层。

5.如权利要求1-4中任一项所述的图形转移方法，其特征在于，所述腐蚀去所述氧化薄膜层上的可溶解金属层，具体为：通过H₂SO₄溶液腐蚀去所述氧化薄膜层上的可溶解金属层。

6.如权利1-4中任一项所述的图形转移方法，其特征在于，所述将带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离，包括：通过氟化氢溶液浸泡，以带有目标图形的PMMA层从所述氧化薄膜层上剥离。