[发明专利]一种MOS栅控晶闸管及其制作方法

权利要求书

1.一种MOS栅控晶闸管，其元胞结构包括由阳极结构、漂移区结构、阴极结构和栅极结构；所述阳极结构包括P+阳极(2)和位于P+阳极(2)下表面的阳极金属(1)；所述漂移区结构包括位于P+阳极上表面的N-漂移区(3)；所述阴极结构包括第一阴极和第二阴极；所述第一阴极结构包括第一阴极金属(14)和第一P型半导体基区(12)；所述第一P型半导体基区(12)设置在漂移区(3)顶部的一侧，其上表面与阴极金属(14)相连；所述第二阴极结构包括第二阴极金属(10)、N型半导体源区(5)和第二P型半导体基区(4)；所述第二P型半导体基区(4)设置在漂移区(3)顶部的另一侧；所述N型半导体源区(5)设置在第二P型半导体基区(4)上；所述第二阴极金属(10)位于N型半导体源区(5)的上表面；所述栅极结构位于漂移区(3)顶部以及第一、第二阴极之间，由栅氧化层(8)、位于栅氧化层(8)下方的薄P型半导体层(15)和位于栅氧化层(8)顶部的多晶硅栅极(9)构成；其特征在于，第一P型半导体基区(12)通过薄P型半导体区(15)与第二P型半导体基区(4)相连接。

2.一种MOS栅控晶闸管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在硅片衬底上制作结终端，形成N型漂移区(3)；

第二步：在N型漂移区(3)上表面通过热氧化形成氧化层(16)；

第三步：在N型漂移区(3)上层两侧注入P型杂质并推结形成P型半导体基区(12)和(4)；

第四步：在P型半导体基区(4)上层注入N型杂质形成N型半导体源区(5)；所述N型半导体源区(5)位于P型半导体基区(4)中；

第五步：刻蚀氧化层(16)，在原氧化层下(16)通过注入P型杂质形成薄的P型半导体层(15)；

第六步：在薄的P型半导体层(15)上表面中间通过热氧化形成栅氧层(8)，并在栅氧层(8)上淀积一层多晶硅/金属再刻蚀形成栅电极(9)；

第七步：在器件上表面淀积BPSG绝缘介质层，刻蚀欧姆接触孔；

第八步：在P型半导体基区(12)和N型半导体源区(5)上表面淀积金属，分别形成阴极金属(14)和(10)；

第九步：淀积钝化层；

第十步：对N型半导体漂移区(3)下表面进行减薄、抛光处理，注入P型杂质并进行离子激活，形成P+阳极(2)；

第十一步：背金，在P+阳极(2)底部形成阳极(1)。