[发明专利]一种CSP共晶焊接方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件制造工艺技术领域，特别涉及一种CSP 共晶焊接方法。

背景技术

CSP封装就是将LED芯片直接封装在金属基印刷电路板上，通过基板直接散热，不仅能减少支架的制造工艺及其成本，还具有减少热阻的散热优势。

当前，在国内众多的CSP封装，芯片和基板的连接方式主要通过固晶的方式连接，即先在基板上点上膏状共晶焊料，再把芯片放置在基板的对应位置上，通过粘合作用把芯片固定在基板上。

然而，由于这种固晶方式的共晶效率比较低，所以用此种方式把芯片固定在基板上，会大大降低CSP成品的生产效率。

为了解决上述问题，一般主要通过共晶的方法把芯片连接在基板上，即在基板上点上共晶焊料，再将若干芯片置于基板的设定位置上，然后在一定的温度和压力下，使芯片与共晶焊料发生共晶反应，进而使芯片和基板结合在一起。

虽然共晶工艺能显著提高芯片的可靠性，然而，共晶工序也存在一个问题，即芯片和基板的结合力问题，如何提高共晶工艺的结合力，进而提高共晶精度及CSP成品的性能是当前面临的首要问题。

因此，研发一种能够提高芯片共晶效率、芯片共晶精度及CSP 成品的性能的CSP封装方法是非常有必要的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高芯片共晶效率、芯片共晶精度及CSP成品的性能的CSP封装方法。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种CSP共晶焊接方法，其创新点在于：所述CSP共晶焊接方法包括如下步骤：

(1)点共晶焊锡：通过固晶机把共晶焊锡点在COB基板电路上；

(2)固晶：通过固晶机把芯片固定在点有共晶焊锡的COB基板电路上；

(3)共晶：将固晶后的COB基板放置在300℃～400℃的高温轨道上，通过压合装置下压芯片，将芯片与共晶焊锡压合，达到共晶焊；压合的压力为8～12kg，压合时间为20～50s；

(4)点胶：把荧光粉和胶水充分搅拌均匀，制得荧光粉胶，荧光粉胶真空脱泡后，通过点胶机台喷涂在共晶后的COB基板表面，并对荧光粉胶进行胶固化；

(5)测试包装：待步骤(4)中COB基板表面的荧光粉胶固化后，进行性能测试，测试合格的COB成品进行包装。

本发明的优点在于：本发明CSP共晶焊接方法，与传统相比，在基板上点上膏状共晶焊料改为共晶焊锡，共晶焊锡可直接覆盖在 COB基板上，不需要单一进行点胶，进而能够大大提高芯片共晶效率；同时，本发明中采用压合装置进行下压芯片，以达到芯片共晶，通过专用装置，进而能准确控制压合压力此外，通过阶段性的压力控制，使芯片受压更均匀，进一步保证了芯片共晶精度。

具体实施方式

下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

实施例1

本实施例CSP共晶焊接方法，该方法包括如下步骤：

(1)点共晶焊锡：通过固晶机把共晶焊锡点在COB基板电路上；

(2)固晶：通过固晶机把芯片固定在点有共晶焊锡的COB基板电路上；

(3)共晶：将固晶后的COB基板放置在300℃的高温轨道上，通过压合装置下压芯片，将芯片与共晶焊锡压合，达到共晶焊；压合的压力为8kg，压合时间为20s；

(4)点胶：把荧光粉和胶水充分搅拌均匀，制得荧光粉胶，荧光粉胶真空脱泡后，通过点胶机台喷涂在共晶后的COB基板表面，并对荧光粉胶进行胶固化；

(5)测试包装：待步骤(4)中COB基板表面的荧光粉胶固化后，进行性能测试，测试合格的COB成品进行包装。

实施例2

本实施例CSP共晶焊接方法，该方法包括如下步骤：

(1)点共晶焊锡：通过固晶机把共晶焊锡点在COB基板电路上；

(2)固晶：通过固晶机把芯片固定在点有共晶焊锡的COB基板电路上；

(3)共晶：将固晶后的COB基板放置在400℃的高温轨道上，通过压合装置下压芯片，将芯片与共晶焊锡压合，达到共晶焊；压合的压力为12kg，压合时间为50s；

(4)点胶：把荧光粉和胶水充分搅拌均匀，制得荧光粉胶，荧光粉胶真空脱泡后，通过点胶机台喷涂在共晶后的COB基板表面，并对荧光粉胶进行胶固化；

(5)测试包装：待步骤(4)中COB基板表面的荧光粉胶固化后，进行性能测试，测试合格的COB成品进行包装。

实施例3