[发明专利]一种LED器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED器件及其制作方法。

背景技术

由于LED器件属于静电敏感器件，在使用过程中容易遭受静电或高电压浪涌的冲击而被损坏，因此，为了防止静电、高电压浪涌对LED器件所引起的破坏，现有LED器件在封装过程中的通用做法是在LED芯片两端并联一颗稳压二极管。但是，因为稳压二极管属于硅基掺杂制作而成的二极管，会吸收LED芯片发射的光，造成LED器件的亮度下降。

为了避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，已经提出了防止稳压二极管吸光的措施。例如，发明专利CN100543985C中提出一种具有防静电放电冲击保护功能的高亮度发光二极管，能够提高发光二极管的亮度。但是，在这种发光二极管中，LED芯片与稳压二极管安装于相邻位置，LED芯片和稳压二极管的合计面积成为整体的元件安装区，这就导致LED体积较大；另外，现有的LED封装载体的安装区如图1所示，在反光杯的安装区内放置LED芯片后，已经没有空间固晶焊线，因此，该发明专利不能实现现有LED封装载体下的LED器件防静电功能。

发明内容

针对上述问题，本发明的一种LED器件及其制作方法，能够有效避免稳压二极管占用较大的安装区，可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管，且在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率。

为解决上述技术问题，本发明的一种LED器件，包括：

通过绝缘胶体连接的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极构成支架底板，所述支架底板的四周环绕设置有反光杯；

在所述第一电极上安装有LED芯片，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；

在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面设有一凹槽，所述凹槽内安装有稳压二极管；其中，所述稳压二极管与所述LED芯片并联；

所述凹槽内填充有反射胶层，所述反射胶层覆盖所述稳压二极管，且所述稳压二极管的高度低于所述凹槽的高度；

所述反光杯内填充有光转换层，所述光转换层覆盖所述LED芯片。

与现有技术相比，本发明的一种LED器件具有以下有益效果：

通过在第一电极和第二电极中的任一个电极的上表面设置容纳稳压二极管的凹槽，能够为稳压二极管让出安装空间，避免稳压二极管占用LED芯片的相邻位置，使得整体元件的安装区小型化；同时，由于稳压二极管容纳于凹槽中，LED芯片安装在第一电极上，使得在安装LED芯片和稳压二极管之后，元件安装区中仍有空间用于固晶焊线，进而可实现在小反光杯的安装区内安装稳压二极管；

由于在凹槽内填充有反射胶体，且该反射胶体覆盖稳压二极管，进而使得反射胶体能够将凹槽和安装LED芯片的区域进行隔离，LED芯片发射的光可通过反光杯和该反射胶体进行反射，可有效避免稳压二极管吸收LED芯片发射的光，进而在保证LED器件具备防静电保护能力的同时，还能提高LED器件的出光效率。

作为上述方案的改进，所述反光杯的内侧壁向内沿所述支架底板的上表面延伸，以覆盖所述支架底板的上表面边缘。

作为上述方案的改进，所述稳压二极管为垂直型稳压二极管，所述垂直型稳压二极管的一端通过导电胶体与所述凹槽的底部电连接，所述垂直型稳压二极管的另一端与所述第一电极和所述第二电极中的另一电极通过导线连接。

作为上述方案的改进，所述稳压二极管为单向稳压二极管或双相稳压二极管。

作为上述方案的改进，所述反射胶体为具有高反射率的反射胶体。

作为上述方案的改进，所述LED芯片为正装型LED芯片或垂直型LED芯片。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种LED器件的制作方法，包括如下步骤：

将金属铜片蚀刻成第一电极和第二电极；

采用蚀刻工艺或冲压工艺，在所述第一电极和所述第二电极中的任一电极的上表面制作一凹槽；

采用模具注塑成型工艺，在所述第一电极和所述第二电极之间填充绝缘胶体以构成支架底板，以及在所述支架底板的四周环绕制作反光杯；

将LED芯片安装在所述第一电极上；其中，所述LED芯片的正极端与所述第一电极电连接，所述LED芯片的负极端与所述第二电极电连接；

将稳压二极管安装在所述凹槽内，所述稳压二极管与所述LED芯片并联，所述稳压二极管的高度低于所述凹槽；

采用点胶工艺在所述凹槽内点涂反射胶层以覆盖所述稳压二极管，使得所述凹槽与所述反光杯内用于安装LED芯片的区域相互隔离；