[发明专利]一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体

说明书

一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统；所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。本申请的有益效果是：通过药液的外部循环和冷却，保证了药液浓度的均匀性以及药液温度的均匀性；硅片旋转装置的设计，可以使先进入药液进行腐蚀的硅片先被取出，从而保证了各个硅片腐蚀时间的一致，刻蚀深度更均匀，减少刻蚀深度的极差。

技术领域

本申请属于硅片湿法刻蚀技术领域，具体地说，涉及一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体。

背景技术

GPP是Glassivation passivation parts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。

而半导体硅片刻蚀工艺是半导体器件制作过程中的重要工艺。硅片在经过光刻、显影等工艺流程后进行湿法刻蚀。为满足产品品质需要，要求刻蚀形成的沟槽深度具备均匀性，片内、片间及批次间的沟槽深度级差均控制在7μm之内。目前影响刻蚀深度的因素有：1、刻蚀槽腐蚀药液的浓度均匀性；2、刻蚀槽腐蚀药液的温度均匀性；3、硅片与药液接触时间的均匀性。为满足半导体产品对刻蚀深度的级差要求就需要设计人员兼顾考虑以上三点因素。

目前市面上的半导体湿法刻蚀设备绝大多数采用静止冷却槽加高速机械抖动的方式进行刻蚀工艺，其存在以下缺点：

1、静止槽中缺少药液循环，仅凭机械手抖动搅拌药液难以使药液均匀；

2、静止槽中仅依靠四周内置冷盘管控制药液温度会造成热场的不均匀，温度的偏差会直接影响片内的刻蚀深度级差；

3、传统的槽体设备，硅片在药液槽中无旋转等动作，造成硅片底部先进后出，片底部的槽刻蚀深度比片顶部要深，影响刻蚀深度级差。

发明内容

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，能够使药液的浓度、温度均匀，还能使不同位置的硅片刻蚀时间一致，避免因药液浓度、温度的不均匀以及刻蚀时间的不同对刻蚀均匀性造成的不良影响。

为了解决上述技术问题，本申请公开了一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，并采用以下技术方案来实现。

一种利于均匀腐蚀的挖沟槽槽体，包括药液槽，所述药液槽内部设有旋转装置；所述药液槽底部设有药液槽进液系统；所述药液槽外部设有循环冷却系统，所述循环冷却系统的进口与所述药液槽连接；所述循环冷却系统的出口与循环泵浦连接，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统连接；所述循环冷却系统与设置在所述药液槽旁边的冷水机组冷却连接。

进一步的，所述循环泵浦与所述药液槽进液系统之间设有循环过滤器。

进一步的，所述循环冷却系统包括一个冷却槽；所述冷却槽与所述药液槽相连；所述冷却槽内均匀设有冷水管路，所述冷水管路的进口和出口均与所述冷水机组相连。

进一步的，所述药液槽进液系统的顶部设有均匀的进液孔。

进一步的，所述药液槽的四周内壁上设有药液槽冷却系统，所述药液槽冷却系统与所述冷水机组相连。

进一步的，所述药液槽冷却系统包括若干冷却盘，所述冷却盘由冷却盘管路构成，所述冷却盘管路的入口和出口均与所述冷水机组相连。