[发明专利]晶粒装置、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

一第一晶粒装置，包含：

一第一晶粒，包含：

一第一主动层；和

一第一互连元件，经配置以电性连接该第一主动层；以及

一第二晶粒装置，包含：

一第二晶粒，包含：

一第二主动层；以及

一凸块，独立于该第二晶粒之外且经配置以电性连接该第二主动层，其中该凸块受到该第一互连元件的环绕，

其中，该第一晶粒装置与该第二晶粒装置之间没有间隙存在。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该凸块接触该第一互连元件。

3.如权利要求2所述的半导体装置，另包括：

一粘着层，借此使得该第二晶粒装置接合至该第一晶粒装置。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中该第二晶粒装置位于该粘着层上，并且该粘着层位于该第一晶粒装置上。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中该凸块的一部分受到该第一互连元件环绕，以及该凸块的剩余部分受到该粘着层环绕。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一互连元件的一熔点低于铜的熔点。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一互连元件的一材料包含锡(Sn)。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中该凸块为第二凸块，该第一晶粒装置另包含：

一第一凸块，独立于该第一晶粒之外，经配置用于该第一主动层的电性连接。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中该第一凸块位于该第一晶粒的一第一表面上，以及该第一晶粒装置未有其他凸块于该第一晶粒的一第二表面上，该第二表面与该第一表面对立。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一主动层位于该第一晶粒的该第一表面内。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其中该第一凸块位于该第一晶粒的该第一主动层上。

12.一种半导体装置制造方法，包括：

通过进行一操作两次，得到一第一晶粒装置以及一第二晶粒装置，该操作包含：

形成一主动层于一基板中且于该基板上；

形成一凸块于该主动层上；

形成一沟槽于该基板中，暴露该主动层；和

形成一抛光的传导层于该沟槽中且于该主动层上；以及

将该第二晶粒装置的该凸块插入至该第一晶粒装置的该抛光的传导层中，

其中，该第一晶粒装置与该第二晶粒装置之间没有间隙存在。

13.如权利要求12所述的半导体装置制造方法，另包括：

通过熔化该抛光的传导层，形成一熔化且抛光的传导层，其中该抛光的传导层的一熔点低于铜的熔点。

14.如权利要求13所述的半导体装置制造方法，其中将该第二晶粒装置的该凸块插入至该第一晶粒装置的该抛光的传导层中包含：

将该第二晶粒装置的该凸块插入至该第一晶粒装置的该熔化且抛光的传导层中。