[发明专利]一种二极管芯片的酸洗工艺

说明书

技术领域

本发明涉及属于二极管领域，特别涉及一种二极管芯片的酸洗工艺。

背景技术

根据二极管半导体生产原理，芯片要发挥作用时，必须经过酸腐蚀及酸钝化，二极管芯片的酸洗工艺包括一次酸洗，二次酸洗，氨水与双氧水混合清洗，最后水超声波清洗。

目前一次酸洗中清洗液为硝酸、硫酸、氢氟酸以及冰醋酸的混合物；二次酸洗中清洗液现有两种：1.磷酸、双氧水和水的混合物，缺点：焊料中存在Pb，一次酸洗时，会与清洗液中的硫酸反应形成PbSO₄，硫酸铅为不溶物，会吸附到芯片的表面，而该酸洗液不能将吸附在芯片表面的PbSO₄溶解，进而影响产品的质量；2.磷酸、双氧水、水和冰醋酸的混合物，其体积比为1:0.8:3:0.2，能够溶解芯片表面的PbSO₄，减少芯片表面游离的金属离子，提高其常温下电性能和高温电性能，缺点：残留的冰醋酸中金属含量高，会导致二次污染，从而降低电性能。

因此，研发一种能够提高二极管电性能的二极管芯片的酸洗工艺是非常有必要的。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高二极管电性能的二极管芯片的酸洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：一种二极管芯片的酸洗工艺，其创新点在于：所述工艺依次为一次酸洗、二次酸洗、三次酸洗、双氧水与氨水清洗及水超声清洗，其中一次酸洗的时间为110～120s，二次酸洗的时间为70～80s，三次酸洗的时间为50～60s，双氧水与氨水清洗是时间为2～3min，水超声清洗的时间为5～8min；所述一次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的混合液，所述HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的体积比为9:9:12:4；所述二次酸洗的清洗液为H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液，所述H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的体积比为1:0.4:3:0.4；所述三次酸洗的清洗液为HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的混合液，所述HNO₃、HF、CH₃COOH和H₂SO₄的体积比为9:9:12:4；所述双氧水与氨水清洗的清洗液为NH₃^.H₂O、H₂O和H₂O₂的混合液，所述NH₃^.H₂O、H₂O和H₂O₂的体积比为2:1:5。

进一步地，所述H₃PO₄、H₂O₂、H₂O和CH₃COOH的混合液的配置为：先加入水，再加入双氧水，接着加入磷酸，最后加入冰醋酸。

进一步地，所述NH₃^.H₂O、H₂O和H₂O₂的混合液的配置为：先加入水，再加入双氧水，最后加入氨水。