[发明专利]固体摄像装置和电子设备在审
申请号: | 201710804655.8 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN107833896A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 桑泽和伸;关泽充生;中村纪元 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374;H04N5/378 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,邓毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 电子设备 | ||
1.一种固体摄像装置,其具有:
配置在半导体衬底上的受光元件、电荷保持区域以及浮置扩散区域;
第1传输门,其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述受光元件与所述电荷保持区域之间的区域上的栅电极;
第2传输门,其具有隔着栅绝缘膜配置在所述半导体衬底的所述电荷保持区域与所述浮置扩散区域之间的区域上的栅电极,
布线层,其包括隔着多个层间绝缘膜配置在所述半导体衬底上的布线;以及
遮光膜,其相对于所述布线层配置在所述半导体衬底侧,对所述电荷保持区域进行遮光。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜与所述第1传输门的所述栅电极电连接。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜与所述第2传输门的所述栅电极电连接。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜与被提供低电位侧的电源电位的布线电连接。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的固体摄像装置,其中,
所述固体摄像装置具有:
配置成1列的4个受光元件;
与所述4个受光元件对应地配置的4个电荷保持区域、4个浮置扩散区域、4个第1传输门以及4个第2传输门;以及
遮光层,其对所述4个电荷保持区域进行遮光,
所述4个浮置扩散区域与1个缓冲晶体管的栅电极电连接。
6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的固体摄像装置,其中,
所述固体摄像装置在配置有逻辑电路的区域内还具有配置在与所述遮光膜相同的高度处的布线。
7.根据权利要求1~5中的任意一项所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜配置在与配置有逻辑电路的区域内的布线层独立的层中。
8.根据权利要求1~7中的任意一项所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜具有第1层和第2层,该第1层包含铝或铜,该第2层配置在所述第1层的所述半导体衬底侧,包含氮化钛。
9.根据权利要求8所述的固体摄像装置,其中,
所述第2层的膜厚在50nm~80nm的范围内。
10.根据权利要求8或9所述的固体摄像装置,其中,
所述遮光膜还具有第3层,该第3层配置在所述第2层的所述半导体衬底侧,包含钛。
11.一种电子设备,其具有权利要求1~10中的任意一项所述的固体摄像装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的