[发明专利]MEMS器件的封装方法及微执行器的制备方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的封装方法，其特征在于，包括：

在第一衬底(20)的第一表面(20a)上刻蚀形成盲孔(21)；

在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)；

在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)，所述第一布线层(40)与所述导电柱(30)接触；

对所述第一衬底(20)的与所述第一表面(20a)相对的第二表面(20b)进行刻蚀，直至使所述盲孔(21)成为通孔且使所述导电柱(30)暴露；

在所述第一布线层(40)上制作形成第一键合环(50)；

在第二衬底(10)上制作形成MEMS器件以及与所述MEMS器件连接的器件导出线(11)；

在所述第二衬底(10)上制作形成第二键合环(12)，所述第二键合环(12)与所述器件导出线(11)连接；

键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上制作形成导电柱种子层(60)之前，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第一表面(20a)上以及所述盲孔(21)的孔壁上形成绝缘层(70)。

4.根据权利要求3所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述盲孔(21)内制作形成导电柱(30)的方法具体包括：

在所述第一表面(20a)上形成导电材料层，所述导电材料层填充满所述盲孔(21)；

将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除。

5.根据权利要求4所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在将所述第一表面(20a)上的导电材料层以及导电柱种子层(60)去除之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：对所述第一表面(20a)上的所述绝缘层(70)进行表面平坦化处理。

6.根据权利要求1所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在键合所述第一键合环(50)和所述第二键合环(12)之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80)，所述第二布线层(80)与所述导电柱(30)接触。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件的封装方法，其特征在于，在所述第二表面(20b)上制作形成第二布线层(80)之后，所述MEMS器件的封装方法还包括：在所述第二布线层(80)上制作形成焊锡球(90)。

8.一种微执行器的制备方法，其特征在于，包括权利要求1至7任一项所述的MEMS器件的封装方法；

其中，在所述第一表面(20a)上制作形成第一布线层(40)的同时，所述微执行器制备方法还包括：在所述第一表面(20a)上制作形成第一电极层(41)；

在所述第二衬底(11)上制作形成所述器件导出线(12)的同时，或者在所述第二衬底(11)上制作形成所述第二键合环(12)的同时，所述微执行器的制备方法还包括：在所述第二衬底(11)上制作形成第二电极层(13)；所述第一电极层(41)与所述第二电极层(13)所带电荷电性相反。