[发明专利]显示面板、显示装置及制备显示面板的方法在审
| 申请号: | 201710803989.3 | 申请日: | 2017-09-07 |
| 公开(公告)号: | CN107394060A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
| 发明(设计)人: | 顾鹏飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 陈平 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
技术领域
本公开涉及显示技术领域。更具体地,本公开涉及一种显示面板、显示装置及制备显示面板的方法。
背景技术
在显示面板中,需要用到透明电极如透明阴极。透明电极对光的透过率要求较高,因而透明电极的厚度应该尽可能的薄。但是透明电极膜层越薄其电阻越高,而过高的电阻导致透明电极上发生电阻压降(IR drop),影响整面的显示均一性。这种情况在大尺寸面板中尤为突出。
发明内容
因此,需要提供一种显示面板、显示装置及制备显示面板的方法,其中通过包括辅助电极,可以显著降低透明电极的电阻。
在本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:
基板;
平坦层,所述平坦层设置在所述基板上;
第一电极,所述第一电极设置在所述平坦层上;
发光层,所述发光层设置在所述第一电极上;
第二电极,所述第二电极设置在所述发光层上;和
辅助电极,所述辅助电极设置在所述平坦层中,并且与所述第二电极电连接。
根据本公开的一个实施方案,所述显示面板还包括:像素定义层,所述像素定义层设置在所述平坦层上,并且限定像素区域,其中所发光层形成在所述像素区域中,其中所述辅助电极通过位于所述像素定义层和所述平坦层中的孔与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案,所述平坦层包括:
第一平坦层,和
第二平坦层,
其中,所述第一平坦层设置在所述基板上,所述辅助电极设置在所述第一平坦层上,并且所述第二平坦层覆盖所述辅助电极和所述第一平坦层。
根据本公开的另一个实施方案,所述显示面板还包括:像素定义层,所述像素定义层设置在所述第二平坦层上,并且限定像素区域,其中所发光层形成在所述像素区域中,其中所述辅助电极通过贯穿所述像素定义层和所述第二平坦层的通孔与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案,所述第一平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm,并且所述第二平坦层的厚度为0.5μm至1.5μm。
根据本公开的另一个实施方案,所述第二平坦层包括覆盖所述辅助电极的部分和覆盖并且接触所述第一平坦层的部分,其中所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度等于覆盖所述辅助电极的部分的厚度与所述辅助电极的厚度之和。
根据本公开的另一个实施方案,所述辅助电极的厚度D1与所述第一平坦层的厚度D2与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度D3的总和之比D1/(D2+D3)为1∶10至1∶3。
根据本公开的另一个实施方案,所述辅助电极的厚度为300nm至750nm;并且所述第一平坦层的厚度与所述第二平坦层的覆盖并且接触所述第一平坦层的部分的厚度的总和为1μm至3μm。
根据本公开的另一个实施方案,所述辅助电极在平行于基板方向上的面积与所述平坦层在平行于基板方向上的面积之比为1∶1.2至1∶5。
根据本公开的另一个实施方案,所述辅助电极是网状电极。
根据本公开的另一个实施方案,所述辅助电极具有包括第一保护导电层、导电金属层和第二保护导电层的多层结构,其中所述导电金属层位于所述第一保护导电层和所述第二保护导电层之间,所述第一保护导电层和所述第二保护导电层的厚度各自独立地为10至100nm,并且所述导电金属层的厚度为300至500nm。
根据本公开的另一个实施方案,所述第一电极包含AlNd或Al,所述导电金属层包含Cu,并且所述第一保护导电层和所述第二保护导电层包含MoNb。
根据本公开的另一个实施方案,所述第一电极是阳极,并且所述第二电极是阴极。
在本公开的另一个方面,提供一种显示装置,包括根据上面任一项所述的显示面板。
在本公开的又一个方面,提供一种制备显示面板的方法,所述方法包括以下步骤:
在基板上形成平坦层;
在所述平坦层上形成第一电极;
在所述第一电极上形成发光层;和
在所述发光层上形成第二电极;
其中,在所述平坦层中形成辅助电极,并且将所述辅助电极与所述第二电极电连接。
根据本公开的另一个实施方案,所述方法包括以下步骤:
在基板上形成第一平坦层;
在所述第一平坦层上形成辅助电极;
在形成有辅助电极的所述第一平坦层上形成第二平坦层;
在所述第二平坦层中形成与所述辅助电极相通的第一通孔;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710803989.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





