[发明专利]一种基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统

权利要求书

1.一种基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，包括LD光源、光纤定向耦合器、光电探测器、匹配液、Y型光纤本体和磁场传感器，其中，所述磁场传感器包括：

第一传感探头，直接构造在Y型光纤本体第一端部处，用于检测磁场内的温度以作温度补偿基础；和

第二传感探头，用于检测磁场内的磁场强度，其中，所述第二传感探头包括：

D型光纤光栅悬臂梁，直接构造在Y型光纤本体第二端部处，

金属薄膜，涂覆在所述D型光纤光栅悬臂梁上表面处，

超磁致伸缩薄膜，布置在所述金属薄膜表面处，以感应磁场的强度。

2.根据权利要求1所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述光纤定向耦合器为2*2光纤定向耦合器，其具有第一端口至第四端口，所述第一端口与所述LD光源连接，所述第二端口与所述Y型光纤本体的输入端连接，第三端口通过光纤与所述光电探测器连接，所述第四端口与所述匹配液连接。

3.根据权利要求2所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述第三端口与所述光电探测器连接之间的光纤上设有匹配光栅。

4.根据权利要求2所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述D型光纤光栅悬臂梁构由所述Y型光纤本体的第二端部通过微机械加工出D型悬臂梁，再在所述D型悬臂梁处的纤芯处光刻光栅结构。

5.根据权利要求4所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述光栅结构构造成倾斜光栅结构。

6.根据权利要求5所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述第二传感探头与所述Y型光纤本体为一体化结构。

7.根据权利要求1所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述超磁致伸缩薄膜的厚度为0.5μm-2μm。

8.根据权利要求7所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述超磁致伸缩薄膜呈长条状，所述超磁致伸缩薄膜的宽度按等于纤芯的直径。

9.根据权利要求1所述的基于超磁致伸缩薄膜的磁场检测系统，其特征在于，所述金属薄膜为金或铬。