[发明专利]检体传感器以及检体传感方法有效
申请号: | 201710800346.3 | 申请日: | 2014-03-26 |
公开(公告)号: | CN107655968B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 胜田宏 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | G01N29/02 | 分类号: | G01N29/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朴英淑 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 以及 传感 方法 | ||
1.一种检体传感器,具备:
检测信号输出部,其输出根据检体中所含的靶物的吸附或者与所述靶物的反应而发生变化的检测信号;
参考信号输出部,其输出针对所述检测信号的基准信号即参考信号;
分支部,其将所述检测信号以及所述参考信号之中的一个信号分支为第1信号和第2信号,将另一个信号分支为第3信号和第4信号;
计算部,其包含第1计算部以及第2计算部,该第1计算部根据所述第1信号和所述第3信号并利用外差方式来获得第1计测信号,该第2计算部根据所述第2信号和所述第4信号并利用外差方式来获得相位与所述第1计测信号不同且相位差除±180°之外的第2计测信号;
计测部,其根据所述第1计测信号来算出两个第1相位变化候选值,根据所述第2计测信号来算出两个第2相位变化候选值,将所述两个第1相位变化候选值和所述两个第2相位变化候选值之中的形成相位差的值最接近的组合的候选值判断为第1相位变化值以及第2相位变化值;和
选择部,其将所述第1相位变化值和所述第2相位变化值之中的任意一方选择为相位变化值。
2.根据权利要求1所述的检体传感器,其特征在于,
所述选择部将所述第1相位变化值和所述第2相位变化值之中对应的所述计测信号的输出值接近基准值的一方选择为相位变化值。
3.根据权利要求1或2所述的检体传感器,其特征在于,
所述选择部将所述第1相位变化值和所述第2相位变化值之中位于所述第1计测信号的轨迹与所述第2计测信号的轨迹的两个交点的强度之间的值选择为所述相位变化值。
4.根据权利要求1或2所述的检体传感器,其特征在于,
所述分支部使所述第1信号~所述第4信号之中的至少一个信号的相位不同,且相位差除±180°之外。
5.根据权利要求1或2所述的检体传感器,其特征在于,
所述检测信号输出部包括:
第1基板,其具有压电性;
检测部,其配置在所述第1基板上,根据所述靶物的吸附或者与所述靶物的反应而发生变化;
检测第1IDT电极,其配置在所述第1基板上,朝向所述检测部产生第1弹性波;以及
检测第2IDT电极,其配置在所述第1基板上,接受通过了所述检测部的所述第1弹性波。
6.根据权利要求5所述的检体传感器,其特征在于,
所述检测信号是由所述检测第2IDT电极接受通过了所述检测部的所述第1弹性波而获得的交流信号。
7.根据权利要求1所述的检体传感器,其特征在于,
所述参考信号输出部包括:
第2基板,其具有压电性;
参考部,其配置在所述第2基板上,不吸附所述靶物或者不与所述靶物反应;
参考第1IDT电极,其配置在所述第2基板上,朝向所述参考部产生第2弹性波;和
参考第2IDT电极,其配置在所述第2基板上,接受通过了所述参考部的所述第2弹性波。
8.根据权利要求7所述的检体传感器,其特征在于,
所述参考信号是由所述参考第2IDT电极接受通过了所述参考部的所述第2弹性波而获得的交流信号。
9.根据权利要求7或8所述的检体传感器,其特征在于,
所述第1基板与所述第2基板一体地形成,
在所述检测部、所述检测第1IDT电极以及所述检测第2IDT电极所配置的检测元件区域与所述参考部、所述参考第1IDT电极以及所述参考第2IDT电极所配置的参考元件区域之间,还具备基准电位线。
10.根据权利要求9所述的检体传感器,其特征在于,
所述检测第1IDT电极、所述检测第2IDT电极、所述参考第1IDT电极以及所述参考第2IDT电极分别由一对梳齿状电极构成,所述一对梳齿状电极的一方分别连接于所述基准电位线。
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