[发明专利]光检测器及放射线检测器

说明书

本实施方式的光检测器具备：基板，具有第1面及第2面；及多个像素，设置于基板，各像素具备：设置于基板的第1面的多个光检测单元，各光检测单元具有第1端子和与基板连接的第2端子，并且在从基板的第2面侧观看时，周围被设置于第2面的具有连续的闭曲线形状的第1开口部包围；第1布线，设置于基板的第1面，与多个光检测单元各自的第1端子连接；第1绝缘膜，覆盖基板的第2面、第2开口部的侧面、第1开口部的侧面及底面；多个第1电极，设置于多个第3开口部的每个第3开口部，与基板的第2面连接；第2电极，设置于基板的第2面侧，将多个第1电极连接；及遮光部件，被填充于第1开口部。

关联申请的交叉引用

本申请基于并主张2017年3月9日在日本提交的专利申请2017－045108号的优先权，本申请通过参照而援引该在先申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及光检测器及放射线检测器。

背景技术

为了实现高灵敏度的光检测器，正在研究将具有以盖革(Geiger)模式动作的雪崩光电二极管(以下，也称为APD)的光检测单元配置成阵列状的光检测器。该光检测器计数射入到光检测器的光子数。以Geiger模式动作的APD，是每当对光电二极管射入1个光子就放出1个电流脉冲的光电二极管。通过将具有该APD的光检测单元配置成阵列状，可获得与接受了光子的光检测单元的数量成正比的峰值的电流脉冲。通过测定该脉冲的峰值，来测定射入到光检测器的光子数。

这里，在将具有以Geiger模式动作的APD的光检测单元配置成阵列状的情况下，从光子所射入的光检测单元，放射从可见光到远红外光的范围的波段的光，该放射光会射入到相邻的光检测单元(光学的交调失真)这一问题为人们所知。

为了解决该问题，已知有如下技术，即，在相邻的2个具有APD的光检测单元之间，从形成有这些光检测单元的基板的相反一侧即光检测单元侧掘出沟槽，并在该沟槽中埋入黑色抗蚀剂、钨等金属的技术。由此，将相邻的光检测单元间遮光，抑制光学的交调失真。然而，光学的交调失真的抑制并不充分。

在该光学的交调失真的抑制技术中，还存在以下所述的课题。在遮光材料使用了黑色抗蚀剂的情况下，具有APD的光检测单元的制造工艺一般暴露于400℃以上的高温工艺。因此，由于耐热性不足，存在实质上无法使用黑色光致抗蚀剂的问题。

另外，在埋入钨等金属的情况下，一般使用溅射法、CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉淀)法等。然而，这些方法使用于薄膜形成中，存在对沟槽的填充性差、产生空隙、可靠性降低等问题。

发明内容

本实施方式提供能够进一步抑制光学的交调失真的光检测器及放射线检测器。

本实施方式的光检测器具备：基板，具有第1面及与上述第1面对置的第2面；及多个像素，设置于上述基板，各像素具备：多个光检测单元，该多个光检测单元设置于上述基板的上述第1面，各光检测单元具有第1端子和与上述基板连接的第2端子，并且在从上述基板的上述第2面侧观看时，周围被设置于上述第2面的具有连续的闭曲线形状的第1开口部包围；第1布线，设置于上述基板的上述第1面，与上述多个光检测单元各自的上述第1端子连接；第1绝缘膜，覆盖上述基板的上述第2面、设置于上述基板的上述第2面并贯通上述基板且供上述第1布线的一部分露出的第2开口部的侧面、上述第1开口部的侧面及底面；多个第1电极，设置于多个第3开口部的每个第3开口部，与上述基板的上述第2面连接，该多个第3开口部的每个第3开口部设置于上述第1绝缘膜，并供与上述基板的上述第2面中的上述光检测单元分别对应的区域的一部分露出；第2电极，设置于上述基板的上述第2面侧，将上述多个第1电极连接；以及遮光部件，被填充于上述第1开口部。

根据这样构成的光检测器，能够进一步抑制光学的交调失真。

附图说明

图1是表示第1实施方式的光检测器的剖视图。