[发明专利]LED显示设备及其制造方法

权利要求书

1.一种LED显示设备，包括显示基底和以复数设置在所述显示基底上的显示单元，每个所述显示单元包括一个或多个子像素，每个所述子像素包括驱动区域和非驱动区域，其特征在于，在所述子像素的驱动区域设置有薄膜晶体管，在所述子像素的非驱动区域设置有凹槽，所述凹槽内设置有LED，所述LED包括一第一接触电极，所述薄膜晶体管与所述LED的第一接触电极连接；

所述LED还具有第二接触电极和衬底层，所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的同侧，或者，所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的两侧；

其中，所述凹槽的底面位于所述显示基底内，以使所述LED的下表面位于所述显示基底内，所述凹槽的深度与所述LED的高度接近；

所述LED显示设备还包括与所述第二接触电极电连接的第二电极，当所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的两侧时，所述第二电极设置在所述凹槽的底面以与所述第二接触电极直接接触。

2.如权利要求1所述的LED显示设备，其特征在于，所述凹槽的深度范围是20～150微米。

3.如权利要求1所述的LED显示设备，其特征在于，所述LED显示设备还包括第一平坦化层和在所述第一平坦化层上形成的第一电极，所述第一平坦化层覆盖所述薄膜晶体管、所述凹槽以及所述LED，所述第一电极通过设置于所述第一平坦化层中的第一接触孔与所述薄膜晶体管接触，所述第一电极还通过形成于所述第一平坦化层中的第二接触孔与所述LED的第一接触电极接触。

4.如权利要求3所述的LED显示设备，其特征在于，当所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的同侧时，所述LED显示设备还包括第二平坦化层和在所述第二平坦化层上形成的第二电极，所述第二平坦化层覆盖所述第一平坦化层以及所述第一电极，所述第二电极通过设置于所述第二平坦化层和第一平坦化层中的第三接触孔与所述LED的第二接触电极连接。

5.如权利要求1所述的LED显示设备，其特征在于，还设置有覆盖层，所述覆盖层覆盖所述凹槽的内表面以及薄膜晶体管，所述第二电极设置在所述凹槽的底面的覆盖层表面。

6.一种LED显示设备的制造方法，用于制造如权利要求1～5任一项所述的LED显示设备，其特征在于，包括：

提供一显示基底，所述显示基底上的每个子像素范围内分布有驱动区域和非驱动区域；

在所述驱动区域形成薄膜晶体管，并且在所述非驱动区域形成凹槽，所述凹槽的底面位于所述显示基底内；

在所述凹槽中设置LED，所述LED的下表面位于所述显示基底内；

形成第一平坦化层，所述第一平坦化层覆盖所述薄膜晶体管、所述凹槽以及所述LED；以及，

在所述第一平坦化层上形成第一电极，所述第一电极通过形成于所述第一平坦化层中的第一接触孔与所述薄膜晶体管连接，所述第一电极还通过形成于所述第一平坦化层中的第二接触孔与所述LED的第一接触电极接触。

7.如权利要求6所述的LED显示设备的制造方法，其特征在于，所述LED还具有第二接触电极以及衬底层，并且所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的同侧；所述LED显示设备还形成第二平坦化层，所述第二平坦化层覆盖所述第一平坦化层以及所述第一电极，并且在所述第二平坦化层上形成第二电极，所述第二电极通过形成于所述第二平坦化层和第一平坦化层中的第三接触孔与所述第二接触电极接触。

8.如权利要求6所述的LED显示设备的制造方法，其特征在于，所述LED还具有第二接触电极以及衬底层，并且所述第一接触电极和第二接触电极位于所述衬底层的两侧；在所述凹槽中设置LED之前，还包括形成覆盖层以及第二电极，所述覆盖层覆盖所述凹槽的内表面以及薄膜晶体管，所述第二电极设置在所述凹槽的底面的覆盖层表面，并且所述第二电极与所述LED的第二接触电极接触。